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Board Power Layout Note MB/VGA/Server/NB Power layout(佈局與佈線) notice Outline Placement Overview: POL example of MB, Server, NB and VGA. Power Stage: I/P Cap, O/P Cap, Sunbber, MOSFET placement notice Controller: short pin and 外圍元件 placement. Driver: location and 外圍元件 placement. Partition Layers Overview: PCB Stack-Up example Phase/Vcc/GND: Partition of Phase/Vcc/GND Trace and Partition Trace width and Group distance Noise source and sensitive circuit Trace layout guide Others: Via, Trace drop calculation Placement-Overview Placement-Overview POL (Point of Load)是Power Stage元件擺放的原則. Power Stage是指(又見下兩圖): 較大的電源分怖環路中的元件.如: Bulk Cap, MOSFET, Output Inductor, PWM IC, … 去耦合環路的元件. 如: MLCC, Bead,.. Placement-Overview Placement-Overview Placement-Overview Placement-Power Stage: Connector Placement-Power Stage: Connector 現象: Connector的防呆端離立式電感太近! 原因: 插拔power supply時，會卡到電感。 改進措施: 將Connector調轉，使防呆端遠離立式電感。 Summary: Connector的防呆端不要朝向DIP電容和立式電感，防止卡機構。 Placement-Power Stage: 輸入電容（EL CAP 和MLCC） Placement-Power Stage:輸入電容（EL CAP 和MLCC） 現象: 輸入電容離H/S MOSFET太近! 原因:由於MOSFET的溫度較高，如果離輸入電容太近，其熱量可能傳到電容上，從而縮短電容的壽命。 改進措施:在條件允許（有空間且沒有走綫）的情況下，盡量將電容移開，離H/S MOSFET稍遠，且均勻擺放。 Placement-Power Stage:輸入電容（EL CAP 和MLCC） 現象: 輸入電容離輸入電感太遠! 原因:在H/S MOSFET打開的瞬間，可能不能及時從輸入電容抽取電流，從而將L+12V拉低，導致輸入不穩定或UVLO。 改進措施:將輸入電容放到靠近輸入電感処。 Placement-Power Stage:輸入電容（EL CAP 和MLCC） 現象: 輸入MLCC沒放到H/S MOSFET的Drain pin旁! 原因:離H/S MOSFET 太遠不能有效濾除MOSFET Drain端因開關引起的spike，可能超過MOSFET的breakdown Voltage，燒掉H/S MOSFET且O/P Ripple會被Induce spike影響。 改進措施:將輸入MLCC放到H/S MOSFET的Drain pin旁。 Placement-Power Stage:輸入電容（EL CAP 和MLCC） Summary:對於輸入電容的placement應注意以下幾點, 輸入電容要放在輸入電感的后端且盡量均勻的擺放在每一相，起到及時補充電流的作用; 為延長EL CAP和OS-CON的壽命，在條件允許的情況下，應使其遠離熱源H/S MOSFET; 輸入的MLCC必須均勻摆放在每一相H/S MOSFET的Drain Pin旁邊，來濾除L+12V的雜訊,降低spike以及O/P Ripple Voltage。 I/P Cap 需注意限高，尤其是DIMM latch以及PCIE部分。 Placement-Power Stage: MOSFET, Snubber Choke Placement-Power Stage: MOSFET, Snubber Choke 現象: L/S MOSFET擺放不合理! 原因:layout在鋪phase的shape時可能出現瓶頸，導致電流不均勻分攤於兩顆MOSFET。 改進措施:將MOSFET換個方向擺放，使