射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜.PDFVIP

第31 卷 第7 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.31 No.7 2012 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jul. 2012 研 究 与 试 制 射频磁控溅射法制备Cu ZnSnS 薄膜 2 4 1 1 1 2 1 文亚南 ，李 琳 ，陈士荣 ，史成武 ，梁 齐 （1. 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009；2. 合肥工业大学 化学工程学院，安徽 合肥 230009） 摘要: 利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了 Cu2ZnSnS4 （CZTS ）薄膜，薄膜在室温下生长，再在Ar 气氛 中快速退火。通过X 射线衍射、X 射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌 和禁带宽度的影响。结果表明，所制备样品为 Cu2ZnSnS4 多晶薄膜，具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点， 薄膜组分均为富 S 贫 Cu ，样品表面形貌比较均匀。退火温度为 350 ，400 ，450 和 500 ℃的薄膜样品的禁带宽度分 别是 1.49，1.53，1.51 和 1.46 eV。 关键词: Cu ZnSnS ；射频磁控溅射；快速退火；多晶薄膜；择优取向 2 4 n 中图分类号: TN304.2 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2012 ）07-0047-04 c . Preparation of Cu ZnSnS thin films by RF magnetron sputtering 2 4 1 1 1 2 1 WEN Yanan , LI Lin , CHEN Shirong , SHI Chengwu , LIANG Qi m (1. School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China, 2. School o of Chemistry and Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, China) c Abstract: Cu ZnSnS (CZTS) thin films were deposited on glass by RF magnetron sputtering method at room 2 4 . tempe