搭载RC-IGBT车载用第3代直接水冷型功率模块速度提升.PDFVIP

有助于能源管理 专辑 的功率半导体 搭载 RC-IGBT 的车载用第 3 代直接水冷型功率模块的 速度提升 Speed Enhancement for the 3rd-Generation Direct Liquid Cooling Power Modules for Automotive Applications with RC-IGBT KOGE,Takuma INOUE, Daisuke ADACHI, Shinichiro 高下　卓马 井上　大辅 安达 新一郎 富士电机开发了搭载有薄型化 RC-IGBT（逆导型 IGBT），具备速度提升封装构造的车载用第 3 代直接水冷型模块。通过 运用将 IGBT 和 FWD 单芯片化的 RC-IGBT，提升了开通时和关断时的开关速度。此外，通过 RC-IGBT 和内部布局的优化， 寄生电感相比旧型封装降低了 50%。并且，通过采用三相分别设置 PN 端子对的封装结构，降低了重叠浪涌电压。通过上述 技术，与第 2 代模块相比，第 3 代模块的开关损耗减少了 30%。 Fuji Electric has employed a thin reverse-conducting IGBT (RC-IGBT) in the development of a 3rd-generation direct liquid cooling module for automotive applications that is characterized by its high-speed packaging structure. By utilizing an RC-IGBT that integrates an IGBT and 辑 专 FWD on a single chip, the module achieves faster switching at turn-on and turn-off. In addition, parasitic inductance has been decreased by 50% 体 导 半 率 功 的 理 管 源 能 于 助 有： compared with conventional packages through use of the RC-IGBT and internal layout optimization. Furthermore, superimposed surge voltage has been reduced by adopting a packaging structure that equips all 3 phases with a PN terminal pair. These technologies have enabled the 3rd- generation module to reduce switching loss by 30% compared with 2nd-generation modules. ⑴ , ⑵ 1　引言 Conducting IGBT ：逆导型 IGBT）。为减少变频器运行中 产生的损耗，除了导通损耗，还必须减少开关损耗。 为防止全球气候变暖，CO 排放限制不断强化。在 本稿将对为减少车载用第 3 代直接水冷型功率模块（车 2 此背景下，使用引擎和马达两种动力源的混合动力汽车 载用第 3 代模块）的损耗，通过应用薄型化的 RC-IGBT 技 （HEV），以及仅依靠马达行驶的电动汽车（EV）已进入实用 术和速度提升，减少了开关损耗的封装结构进行介绍。 化时代，同时，开发工作仍在被积极推进，今后有望进一步 得以普及。为了搭载在车内的有限空间，HEV 和 EV 的动 2　低电感封装设计 力控制中使用的变频器不仅要进一