多量子阱热退火拉曼光谱和荧光光谱.PDFVIP

第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 25 , 1 .25, . 1, 39-43 Vol No pp 年 月 2 0 0 5 1 SpectroScopy and Spectral AnalySnS January, 2005 / 多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱 吕国伟 唐英杰 李卫华 黎子兰 张国义 杜为民, , , , , % 北京大学物理学院 北京, 100871 摘 要 通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的 IngaN/ 多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响 观测到退火后 量子阱的拉曼光 gaN 0 IngaN gaN/ 谱 模式的峰位置出现了红移 而且该振动峰的半高宽也有微小变化 温度升高退火效果更明显 , ( ) , 0 0 2 1 E A LO 退火使量子阱内应力部分消除 同时 原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化 在常温和低温下的 , In ga, 0 光荧光谱表明, 退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移 而且低温退火出现红移 退火温度升高相对低温; , 退火出现蓝移 同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了 讨论了退 ; 0 火对多量子阱光学性质的影响0 主题词 IngaN 量子阱 拉曼光谱 光荧光谱 快速热退火; ; ; 中图分类号: 657 文献标识码: 文章编号:1000-0593(2005)01-0039-05 O A (0001)作衬底 用金属有机化学沉积, (MOCVD)法生长的0 引 言 三甲基镓 (TMga)~ 三甲基铟(TMIn)作为ga In, 源及高纯 作为 源并由高纯 携带 反应采用常规的二步生长 NH3 N H2 0 以IngaN gaN/ 多量子阱为有源层的LED 发光器件的 法0gaN 缓冲层, gaN 层, IngaN 层的生长温度分别为 550, 发光波长可实现从紫外光到红光, 是优异的半导体发光材