全差分共源共栅两级分析.pptVIP

全差分共源共栅两级运放的设计 * 45° 相位裕度 20MHz 单位增益带宽 80dB 开环增益 5V 单电源电压 预备知识 CMOS技术(互补MOS) (a)器件模型 (b)电路模型 预备知识 MOS管的器件模型与电路模型 当Vb0,Vs=0时，将有很多的空穴被吸引到衬底电极，留下大量负电荷，使耗尽层的厚度增加，而阈值电压Vth是耗尽层电荷总数的函数，从而使得Vb越负，阈值电压Vth越大，使得MOS器件的工作特性改变 预备知识 MOS管体效应 预备知识 MOS管沟道调制效应 MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。电路设计中是不希望Id随Vds变化的，因此要考虑沟道调制效应的影响。 预备知识 亚阈值导电性 分析MOSFET时，我们假设当VgsVth时器件会突然关断。实际当Vgs和Vth相近时，存在一个弱的反型层，并有一些源漏电流。甚至当Vgs Vth时，Id也不是无限小而是与Vgs成指数关系。这种效应称为“亚阈值导通效应”。 亚阈值导电会导致较大的