《电子线路(线性部分)第1章晶体二极管》-课件.ppt

§1.1 半导体的基本知识 半导体的共价键结构： 1、原子结构： 2、共价键： 二、本征激发和复合 三、热平衡载流子浓度 §1．2 PN结的形成及特性 §1.2.2 PN结的单向导电性 §1．3 晶体二极管电路的分析 一、数学模型（适用于工程分析） §1.4 晶体二极管的应用 单向导电性：整流、限幅 反向击穿特性：稳压 这就使得P区和N区能越过这个势垒的多数载流子数量大大增加, 形成较大的扩散电流。当然, 这时还存在由少数载流子形成的漂移电流, 但由热激发产生的少子数量是十分有限的, 少子漂移电流对总电流的影响可以忽略不计。当管子制成后, 漂移电流大小主要取决于温度, 而几乎与外加电压无关。 所以, 当PN结加正向电压时, 通过PN结的电流主要是扩散电流, 它随着外加电压E的增加而迅速上升, 表明PN结这时呈现一个很小的电阻。 这种状态称为PN结处于导通状态。  当外加电压VR的正端接N区，负端接P区，外加电场方向与PN结内电场方向相同。在这种外电场作用下，P区中的空穴和N区中山电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度加宽，这时PN结处于反向偏置。 二、反向特性： 外加电压将使PN结电场增加，这样P区和N区中的多数载流子就更难越过势垒，因此扩散电流趋近于零。但是，由于结电场的增加，使N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动，在这种情况下，PN结内的电流由起支配地位的漂移电流所决定。 变厚 IR － － － － + + + + R VR P区 N区 Ei ER 漂移电流的方向与扩散电流相反，表现在外电路上有一个流入N区的反向电流IR，它是由少数裁流子的漂移运动形成的。由于少数载流子的浓度很小，所以IR是很微弱的，一般为微安数量级。同时，少数载流子是由本征激发产生的，当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压VR无关。在一定温度下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定。这时的反向电流IR就是反向饱和电流IS用表示。 由于IS很小，所以PN结在反向偏置时，呈现出一个很大的电阻，此时可认为它基本还是不导电的。但因Is受温度的影响较大，在某些实际应用中， 还必须予以考虑。 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V VBR 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V UD ID IR= -IS 由此看来，PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，这就是它的单向导电性。 三、PN结的伏安（V-I）特性： 根据理论分析，PN结的V-I特性可表达为: VT=kT／q称为温度的电压当量 其中k为波耳兹曼常数(1．38*10-23J／K)，T为热力学温度， q为电子电荷(1．6*10-19 C) 常温下VT＝26mV Is为反向饱和电流。对于分立器件，其典型值约在10-8～10-11A的范围内。集成电路中的二极管PN结，其Is值则更小。 V-I特性，说明如下： (a)：VD=0，iD=0 (b)：当二极管的PN结两端加正向电压时：当VDVT，Exp（VD／VT）1，所以，二极管的电流iD与电压VD成指数关系。 (c)：当二极管加反向电压时：若∣VD∣＞＞VT时，指数项趋近于零，因此,iD≈-Is。可见反向饱和电流是个常数Is，不随外加反向电压的大小而变动；但因Is受温度的影响。 §1.2.3 PN结的击穿特性 PN结的V-I特性曲线，当PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。这个现象就称为PN结的反向击穿(电击穿)。发生击穿所需的反向电压VBR称为反向击穿电压。 PN结电击穿从其产生原因又可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。 一、雪崩击穿： 当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴，将不断地与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。 雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二极管，一般需要比较高的电压（＞6V），击穿电压与浓度成反比。 二、齐纳击穿： 在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一