氮化处理与介面工程于高介电材料金氧半元件之探讨-国家奈米元件.PDFVIP

  • 11
  • 0
  • 约1.41万字
  • 约 6页
  • 2018-11-16 发布于天津
  • 举报

氮化处理与介面工程于高介电材料金氧半元件之探讨-国家奈米元件.PDF

2 Electrical Characteristics of Metal-Oxide- Semiconductor Devices by Nitridation treatment and Interfacial Engineering on High-K Dielectrics

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档