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硅片制造中沾污控制
硅片沾污与控制;目录;一、硅片清洗的重要性;二、硅片沾污类型;颗粒：引起电路开路或短路。半导体制造中，可接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于器件特征尺寸的一半。
金属杂质：导致器件成品率下降。典型金属杂质是碱金属。主要来源是离子注入和化学品与传输管道/容器的反应。钠是最普遍的可动离子沾污，人是主要的传送者。
有机物沾污：使硅片表面清洗不彻底，降低栅氧层的致密性
自然氧化层：暴露于室温下空气中或含溶解氧的去离子水中硅片表面将被氧化。自然氧化层的存在将增加接触电阻，还将阻碍其它工艺步骤如硅片上单晶薄膜、超薄栅氧化层生长的进行。
静电释放：两种不同静电势的材料接触或摩擦会产生静电释放。静电释放可能成为栅氧层击穿的诱因；其次电荷积累产生电场会吸引带点颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片。;三、硅片清洗;1号标准清洗液（SC-1）;2号标??清洗液（SC-2）; 是一种强效的清洗溶液，它联合使用硫酸（H2SO4）和过氧化氢（H2O2）去除硅片表面的有机物和金属杂质，在工艺的不同步骤使用。常见组分为H2SO4:30%H2O2= 7:3。清洗方法：把硅片浸入125℃的piranha中19分钟，接着用去离子水彻底清洗。 ;硅片清洗的一般顺序;传统RCA清洗;改进的RCA清洗;RCA取代方案:;硅片清洗设备;喷雾清洗;水清洗：;硅片甩干;四、硅片沾污的源与控制;合理的超净间操作规程;Thank You For Your Attention！
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