芯片互连引线键合技术研讨.pptVIP

“ ” “ ” 微互连技术之 引线键合技术 微互联技术 引线键合技术(WB) 引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。 提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。 引线键合技术作用机理 引线键合技术分类 常用引线键合方式有三种： 热压键合TCB 超声键合USB 热超声波（金丝球）键TSB 热压键合作用机理 利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。 压头下降，焊球被锁定在端部中央 压头上升 压头高速运动到第二键合点，形成弧形 在压力、温度的作用下形成连接 1 4 3 2 第 一 键 合 点 的 形 状 在压力、温度作用下形成第二点连接 压头上升至一定位置，送出尾丝 引燃电弧，形成焊球进入下一键合循环 夹住引线，拉断尾丝 5 6 7 8 第二键合点 契形焊点 丝球焊点形状 球形焊点 热压球焊点的外观 超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 热超声键合（金丝球）：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。 超声键合作用机理 3. 定位（第2次键合） 1. 定位（第一次键合） 超声压头 Al 丝 基板电极 芯片电极 2. 键合 加压 超声波振动 4. 键合－切断 拉引 超声键合法工艺过程 超声键合实物图 球形键合 第一键合点 第二键合点 楔形键合 第一键合点 第二键合点 引线键合接点外形 采用导线键合的芯片互连 引线键合技术实例 低成本、高可靠、高产量等特点使得WB成为芯片互连主要工艺方法，用于下列封装: ·陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP ·陶瓷和塑料封装QFP ·芯片尺寸封装 (CSP) 特点及应用范围 “ ” “ ”