JET石墨壁与金属壁杂质注入对比.PDF

JET石墨壁与金属壁杂质注入实验对比 屈浩 05/07/2014 目录 •JET-C主要实验结果 •JET-C与JET-ILW等离子体约束的对比（D-fueling ） • N 注入情况下JET-ILW约束的改善 2 •JET-ILW偏滤器热负荷 • 加料与杂质注入对台基参数的影响 • 总结 JET 壁条件 •JET-C 石墨壁 •JET-ILW Be壁W偏滤器 （2011，impurity seeding 2012 ） Journal of Nuclear Materials 363–365 (2007) 1–11 JET-C实验结果 • N与Ar注入实验结果 1、通过注入N或者Ar能够控制辐 射功率Prad ； 2、约束H98 因为充入杂质而降低。 Nucl. Fusion 43 (2003) 49–62 ; Nucl. Fusion 45 (2005) 1404–1410 JET-C实验结果 • Ar注入情况，随着Ar注入率升高约束降 低； • D注入率越高，约束降低越快； • 高辐射功率比造成的约束性能的下降与 台基区电子温度有关。Ar与N注入情况 电子温度都比没有注入情况下降； • N注入情况密度与温度都随着N注入率 的降低而降低，并且在最大N注入率的 情况下出现type-III ELM。 Nucl. Fusion 45 (2005) 1404–1410 ; Giroud ITPA 2014 JET-C与JET-ILW等离子体约束的对比 JET-ILW JET-C • 无杂质注入（D fueling）； • 在类似的密度与加热功率条件下，相比 石墨壁条件，JET-ILW的储能下降约40% （6.3MJ→3.8MJ）； •JET-ILW主等离子体区以及偏滤器区辐射 损失功率下降； •JET-ILW Zeff 比JET-C低，因为杂质C 减少。 Nucl. Fusion 53 (2013) 113025 JET-C与JET-ILW等离子体约束的对比 •JET-ILW相比JET-C约束下降的原因主要是台基温 温度的下降。类似的D注入率下，台基区电子密 度基本类似但是电子温度却有30-40% 的下降。 Giroud ITPA 2014 N 注入情况下JET-ILW约束的改善 JET-ILW(N) JET-C 2 • 类似等离子体边界密度，类似加热功率； • N注入之后JET-ILW边界密度上升，等离子 体储能升高； • N注入之后原本低于JET-C的等离子体储能 升高到与之相同的水平。 Nucl. Fusion 53 (2013) 113025 N 注入情况下JET-ILW约束的改善 2 •JET-ILW条件下注入N使电子温度升高，导致约束 H98升高，只是稍低于石墨壁条件下没有杂质注入 时的约束水平； • 杂质注入本是为了提高辐射功率比，减少因ELM 等原因造成的偏滤器热负荷。在石墨壁条件下， 辐射功率比的升高使约束性能降低，在金属壁条 下注入N能够提高约束，其与杂质的注入率，等离 子体中的杂质等很多因素有关。