前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 037701 前驱体和退火温度对Nd O 薄膜组分影响 2 3 的定量研究* † 张旭杰 刘红侠 范小娇 樊继斌 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年8 月18 日收到; 2012 年9 月8 日收到修改稿) 采用Nd(thd) 和O 作为反应前驱体, 利用先进的原子层淀积方法在P 型硅(100) 衬底上制备了超薄Nd O 介 3 3 2 3 质膜, 并在N2 气氛下进行了退火处理. 采用X 射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析. 研究结果表明, 淀积过 程中将前驱体温度从 175 ◦C 提高到 185 ◦C 后, 薄膜的质量得到提高, O/Nd 原子比达到1.82, 更接近理想的化学计 量比, 介电常数也从6.85 升高到10.32. 关键词: 原子层淀积, Nd O , 前驱体温度, X 射线光电子能谱仪 2 3 PACS: 77.55.D−, 82.80.Pv DOI: 10.7498/aps.62.037701 诸如卓越的大面积均匀性、突出的一致性、原子 级别的厚度与成分控制等良好的特性. 所以, 近年 1 引言 来高κ 栅介质的原子层淀积成为了一项热点的研 8 究课题 . 随着CMOS 器件特征尺寸的不断缩小, 传统 本文采用ALD 法制备了高κ 材料Nd O . 为 SiO2 栅介质的物理厚度已经薄到1.4 nm (只有几层 2 3 了研究前驱体温度以及退火温度对介质膜的化学 原子), 性能达到了其物理极限, 迫切需要采用高κ 组分的影响, 对比分析了前驱体温度分别为 175 ◦C 栅介质材料替代SiO , 以减小超薄栅介质中产生的 2 和 185 ◦C 的条件下所制备的介质膜和不同温度退 大的漏电流. 在减小栅极漏电流方面, 国内外一些 火后的薄膜中的Si, Nd, O 元素的化学态以及它 研究小组已取得了一些研究进展1−5 . 然而, 并非 们在介质膜中所占的组分. 比较了所制备的不同 所有的高κ 材料都具备成为栅介质材料的条件. 在 Nd O 介质膜的O/Nd 原子比. 研究发现, 淀积过程