《IGBT的仿真设计》-毕业论文.docVIP

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2018-11-21 发布于广西
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《IGBT的仿真设计》-毕业论文.doc

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本科毕业论文（设计）题目：IGBT的仿真设计学院：理学院专业：电子科学与技术班级： 2007级1班学号： 070712110075 学生姓名：指导教师： 2011年 6月 1日目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc295302780 摘要 PAGEREF _Toc295302780 \h III HYPERLINK \l _Toc295302781 第一章绪论 PAGEREF _Toc295302781 \h 1 HYPERLINK \l _Toc295302782 1.1功率半导体器件的发展 [1] PAGEREF _Toc295302782 \h 1 HYPERLINK \l _Toc295302783 1.2 IGBT的诞生和发展 PAGEREF _Toc295302783 \h 2 HYPERLINK \l _Toc295302784 1.3 IGBT的应用 PAGEREF _Toc295302784 \h 2 HYPERLINK \l _Toc295302785 第二章 IGBT的结构、工作特性和主要参数 PAGEREF _Toc295302785 \h 3 HYPERLINK \l _Toc295302786 2.1 IGBT的结构 PAGEREF _Toc295302786 \h 3 HYPERLINK \l _Toc295302787 2.2工作原理 PAGEREF _Toc295302787 \h 4 HYPERLINK \l _Toc295302788 2.3 IGBT的特性 PAGEREF _Toc295302788 \h 5 HYPERLINK \l _Toc295302789 2.3.1 IGBT的静态特性 PAGEREF _Toc295302789 \h 5 HYPERLINK \l _Toc295302790 2.3.2 IGBT动态特性 PAGEREF _Toc295302790 \h 7 HYPERLINK \l _Toc295302791 2.4 IGBT的设计理论 PAGEREF _Toc295302791 \h 8 HYPERLINK \l _Toc295302792 2.4.1 IGBT的结构设计理论 PAGEREF _Toc295302792 \h 8 HYPERLINK \l _Toc295302793 2.4.2 IGBT的闩锁效应 PAGEREF _Toc295302793 \h 9 HYPERLINK \l _Toc295302794 2.4.3 器件设计的主要性能影响因素 PAGEREF _Toc295302794 \h 9 HYPERLINK \l _Toc295302795 第三章 IGBT的设计 PAGEREF _Toc295302795 \h 12 HYPERLINK \l _Toc295302796 3.1外延层的计算 PAGEREF _Toc295302796 \h 12 HYPERLINK \l _Toc295302797 3.1.1 IGBT的击穿机理 PAGEREF _Toc295302797 \h 12 HYPERLINK \l _Toc295302798 3.2 栅氧化层的计算 PAGEREF _Toc295302798 \h 14 HYPERLINK \l _Toc295302799 3.3 P阱的设计 PAGEREF _Toc295302799 \h 14 HYPERLINK \l _Toc295302800 3.4阴极N阱（NSD）的设计 PAGEREF _Toc295302800 \h 15 HYPERLINK \l _Toc295302801 3.5饱和电流的计算[6] PAGEREF _Toc295302801 \h 15 HYPERLINK \l _Toc295302802 第四章IGBT的工艺仿真 PAGEREF _Toc295302802 \h 16 HYPERLINK \l _Toc295302803 4.1工艺参数 PAGEREF _Toc295302803 \h 16 HYPERLINK \l _Toc295302804 4.2 使用Athena软件设计工艺流程 PAGEREF _Toc295302804 \h 16 HYPERLINK \l _Toc295302805 4.2.1 定