晶体结构与晶体结合.PDF

第 章 晶体结构与晶体结合 1 半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体按元素组成分为元素半 导体和化合物半导体。由一种元素构成的半导体叫做元素半导体，由二种或两种以上元素构成 的半导体叫做化合物半导体。现在发现的具有半导体性质的元素大多位于元素周期表中从金属 到非金属的过渡区(见图 1.1)，如Ⅳ族元素硅(Si)和锗(Ge)。 图 1.1 元素周期表 硅是集成电路中最常用的半导体材料，而且应用越来越广泛。由于人们对硅和锗认识最早、 使用最广泛，因此称之为第一代半导体材料。 化合物半导体主要有三种组成形式：III-Ⅴ族化合物，如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮 化镓(GaN)；Ⅱ-Ⅵ族化合物，如硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)；Ⅳ-Ⅵ族化合物，如碳化硅(SiC) 等（见表 1.1）。GaAs 是其中应用最广泛的一种化合物半导体材料。20 世纪 70 年代，随着砷化 镓单晶制备技术的成熟，其良好的光学性能使其在光学器件中获得广泛应用，同时也应用在需 要高频、高速器件的特殊场合。GaAs 被称为第二代半导体材料。 进入 20 世纪 80 年代，宽禁带半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)开始日益受到人们的重视， 制造出了蓝光发光二极管和激光器。以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体 材料。 表1.1 半导体分类和应用 元素半导体 Ⅳ族化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族二元化合物半导体 Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半导体 三元化合物半导体 GaAs-P 、InAs-P 、 AlP 、AlAs 、AlSb 、GaP、 ZnS 、ZnSe 、ZnTe 、CdS、 Si、Ge SiC、SiGe Ga-InSb、Ga-InAs、 GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb CdSe、CdTe、ZnO Ga-InP、Cd-HgTe 新兴的半导体材料， 主要用于高速器件，高速集 主要用于高速器件，高速 主要用于集成电路 主要用于异质结，超 用于高温半导体器件、 成电路，发光，激光，红外探 集成电路，发光，激光，红 和大多数半导体器件 晶格和远红外探测器 异质结器件等 测等 外探测等 ·1 · 半导体物理学主要研究半导体的物理现象、物理规律、物理性质和理论。研究的对象是固 体半导体。按照构成固体的粒子在空间的排列情况，固体主要分为晶体和非晶体两类。晶体又 有单晶体和多晶体之分。 单晶体的基本特点是原子排列长程有序，具有内部结构的周期性。单晶 Si 就是典型的单 晶半导体材料(见图 1.2 (a))。 图 1.2 单晶、非晶和多晶二维示意图 多晶体中构成固体的原子在局域空间内有序排列，但在不同区域间又无序排列，典型材料如 多晶硅等。在局域空间内类似单晶有序排列的部分，称为晶粒；不同的晶粒间的界面称为晶界。 非晶体中原子排列完全无序。非晶体有时又称为过冷液体。玻璃、塑料等都是非晶体。