第06章薄膜晶体管的工作原理-课件.pptVIP

第6章 薄膜晶体管的工作原理 主讲人：王丽娟 长春工业大学 2013年02月10日 * * 平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社 本章主要内容 6.1 薄膜晶体管的半导体基础 6.2 MOS场效应晶体管 6.3 薄膜晶体管的工作原理 6.4 薄膜晶体管的直流特性 6.5 薄膜晶体管的主要参数 本征半导体及杂质半导体 能带、施主与受主 载流子及散射 电导现象、迁移率、电导率 6.1 TFT的半导体基础 本征半导体 自由电子 空穴 共价键 Si Si Si Si 本征半导体中自由 电子和空穴的形成 本征半导体就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 6.1 TFT的半导体基础 Si Si 空穴移动方向 电子移动方向 外电场方向 Si Si Si Si Si 本征半导体 可见在半导体中有自由电子和空穴两种载流子，它们都能参与导电。 6.1 TFT的半导体基础 n型半导体和p型半导体 Si Si Si Si Si Si Si P 多余价电子 Si Si Si Si Si Si Si B 空位 B 空穴 价电子填补空位 自由电子的数量大大增加 N 型半导体 空穴的数量大大增加 P 型半导体 6.1 TFT的半导体基础 费米能级 6.1 TFT的半导体基础 p型半导体 n型半导体 本征半导体 Ec Ev EF Ei Ec Ev EF Ei Ec Ev EF Ei 本征半导体，费米能级居于禁带中央； n型半导体，费米能级在禁带中心线之上； p型半导体，费米能级在禁带中心线之下。 载流子及散射 运载电荷而引起电流的是导带电子与价带空穴——称为载流子。 载流子不断受到振动着的原子、杂质和缺陷等不完整性的碰撞，使得它们运动的速度发生无规则的改变， ——称为散射。 6.1 TFT的半导体基础 电导现象 R I 在半导体样品两端加电压，其内部则产生电场。载流子被电场所加速进行漂移运动，在半导体中引起一定电流，这就是电导现象。 6.1 TFT的半导体基础 电导率 空穴和电子的速度： vp = ?p E （空穴） vn = ?n E （电子） 空穴和电子的电导率： ?p = q p ?p （空穴） ?n = q n ?n （电子） 电导率：反映半导体材料导电能力的物理量。 它由载流子密度和迁移率来决定。 6.1 TFT的半导体基础 迁移率 迁移率(cm2/Vs) ：不仅反映导电能力的强弱，而且直接决定载流子漂移和扩散运动的快慢。 载流子在电场中的漂移速度： vd = [(±q) ? /m*] E = ? E 上式表明，载流子的漂移速度与外电场平行，且成比例。比例系数通常称为载流子的迁移率。 6.1 TFT的半导体基础 小结 1.非晶硅薄膜晶体管—— 2.薄膜晶体管的能带—— 3.主导薄膜晶体管的半导体现象—— 4.影响薄膜晶体管性质参数—— 弱n型半导体 电导现象 迁移率 费米能级接近禁带中心在禁带中心线之上 6.1 TFT的半导体基础 n型衬底 两个p区 SiO2绝缘层 金属铝 P型导电沟道 6.2 MOS场效应晶体管 晶体管 双极型晶体管 场效应晶体管 JFET MOSFET——TFT p+ p+ n type Si 衬底 栅 源 漏 p-MOSFET p-MOSFET晶体管 垂直方向—— 水平方向—— 电导器件 栅控器件 d n型硅 P+ P+ n - 0 P+ P+ p - 0 6.2 MOS场效应晶体管 MOS结构相当于一个电容 金属与半导体之间加电压 在金属与半导体相对的两个表面上就充上等量异号的电荷 在金属一侧，分布在一个原子层厚度内 在半导体一侧，分布在空间电荷区 金属 绝缘层 半导体 欧姆接触 d n型硅 6.2 MOS场效应晶体管 MIS结构定义 金属 绝缘层 半导体 欧姆接触 Vg＞0 d n型硅 Vg＜0 d + + + + n型硅 Vg0 d + + + + n型硅 (a)积累 (b)耗尽 (c)反型 6.2 MOS场效应晶体管 MIS结构表面电荷的变化 当Vs=0，Vd0时：Vg=0，pn结反偏