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                2导体二极管及基本电路
                    2章 半导体二极管及基本电路   ;半导体的基本知识;半导体的共价键结构;本征半导体、空穴及其导电作用;电子空穴对;杂质半导体;;N型半导体的多数载流子为电子,少数载流子是空穴;
P型半导体的多数载流子为空穴,少数载流子是电子。
;PN结的形成及特性;PN结的形成;PN结的单向导电性;         外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位,称为加反向电压,简称反偏。     ;总之:PN结正向电阻小,反向电阻大——单向导电性。
;半导体二极管;         二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。;半导体二极管的伏安特性曲线;(1)  正向特性;反向区也分两个区域:;     硅二极管的反向击穿特性比较硬、??较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。        ;半导体二极管的参数;二极管基本电路分析;3. 折线模型(实际模型);二极管电路分析;2.限幅电路;3.开关电路;例9:判别二极管是导通还是截止。;+
18V
-;例4: ;例5:;例6: 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V,求输出波形v0。;例7:画出理想二极管电路的传输特性(Vo~VI)。;例8:画出理想二极管电路的传输特性(Vo~VI)。;             已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V,C为隔直电容,vi(t)为小信号交流信号源。
试求二极管的静态工作电流IDQ,以及二极管的直流导通电阻R直。 
求在室温300K时,D的小信号交流等效电阻r交 。;例3: ;特殊二极管;(2) 动态电阻rZ     ;例12:
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