氧化石墨烯电阻式记忆体之电性量测分析探讨高低电阻转换-逢甲大学.PDFVIP

報告題名： 氧化石墨烯電阻式記憶體之電性量測分析探討 : 高低電阻轉換機制研究 Switching Mechanism of Graphene Oxide-based Resistive Random Access Memory (RRAM) by Electrical Characterization 作者：陳庭蔚、林家敬、盧昱君 系級：電子 工程學系四乙 學號：D9973000 、D9930299 、D9930388 開課老師： 林成利 課程名稱： 專題研究 開課系所：電子 工程學系 開課學 年：102 學年度第 2 學期 氧化石墨烯電阻式記憶體之電性量測分析 探討高低電阻轉換機制研究 中文摘要 電阻式記憶體在最近的非揮發式記憶體中發展快速，這種記憶體具有高 操作速度、低功耗及結構簡單的等等優點，猜測電阻式記憶體為未來主流之 一。而電阻式記憶體目前最大的問題在於轉換機制不夠成熟，我們的專題主 要是以 Al/GO(graphene oxide)/Al的材料來探討電阻式記憶體的轉換機制， 我們以很新的材料GO做為介電層，透過文獻探討與實驗量測發現介電層為 GO 具有良好的高低阻態比、耐久度與製程容易，在經過電流電壓測量結果- 的到 VRESET=0.5V/VSET=2.3V的低操作電壓，希望以 GO這種新材料提高 RRAM的特性。 使用的石墨烯氧化物的電阻式記憶體曾經測量超過 100 次以上，在I-V 圖中高低阻態比 (HRS/LRS)可為兩個數量級 (order) ，我們使用與其他人不同 使用 C-V圖來做另外探討 RRAM的電阻轉換特性圖，當希望能用其他角度 來看出這種記憶體的轉換機制。由實驗結果的I-V 與C-V量測得知，可能是 利用電子與氧官能基團的結合使路徑的斷裂，盡而使傳導路徑斷裂造成高低 阻態的結果，而石墨烯氧化物具有良好的可撓性與高透光性，應用於軟性透 明電子元件也是指日可待的。 關鍵字：石墨 烯、石墨烯氧化物、電阻式記憶體 1 逢甲大學學生報告ePaper(2014 年) 氧化石墨烯電阻式記憶體之電性量測分析 探討高低電阻轉換機制研究 Abstract Recently, RRAM development fast in the non-volatile memory, this memory has a high operating speed, low power consumption and simple structure and so on merit, guess one of the mainstream will be RRAM . The RRAM’s biggest problem is that the conversion mechanism is not mature enough, our main topic is Al/GO(graphene oxide)/Al materials to explore the switching mechanism of RRAM, we use a new material GO to be dielectric layer, through literature and experimental measurements found that the dielectric layer GO has a higher resistance ratio (HRS/LRS), retention and simple process step, after the current - voltage measurements to VRESET/ VSET = 0.5V/