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分子自组装在有机薄膜晶体管中应用-微电子学与固体电子学专业论文
中文
中文摘要
重庆大
重庆大学硕士学位论文
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摘 要
有机薄膜晶体管(OTFT)在其性能上虽已取得很大的进展,但仍存在许多问 题。本文针对其迁移率和开关电流比偏低的问题进行了多方面的优化和改进,内 容主要集中于分子自组装膜修饰有机半导体层/绝缘层界面对 OTFT 器件性能影 响的研究。具体研究内容如下:
① 本文简要介绍了 OTFT 的研究进展及热点问题,讨论了分子自组装技术 在 OTFT 中的应用研究。详细论述了它的基本结构和常用的材料,包括衬底、电 极、绝缘层及有机半导体材料等,以 p 型半导体为例,详细阐述了 OTFT 的工 作原理并着重对表征其性能的三个主要参数进行了讨论。
② 本文重点介绍了分子自组装膜修饰有源层/绝缘层界面在有机薄膜晶体管 中的应用。介绍了分子自组装技术的工作原理及制备方法。阐述了分子自组装在 晶体管中的所起到的作用:可以降低绝缘层的粗糙度和表面能,并提高有机半导 体材料生长的有序性。采用底栅顶接触结构为器件的基本结构,6,13-二苯基并五 苯(DPP)作为有源层材料,正十八烷基磷酸 (ODPA)和 OTS 做分子自组装膜材料, 6,13-五并苯醌(PQ)做有机模板层材料,表面热氧化形成二氧化硅(厚度约为 300 nm) 重掺杂的 n 型硅片做衬底材料,SiO2 为栅绝缘层,金做源漏电极材料,制备 OTFT 器件。
通过 AFM 和 SEM 测试可知成功制备了分子自组装膜。PQ 层和 ODPA 双分子 层对诱导 DPP 形成高度结晶膜都是必要的。当 ODPA 双分子层被 OTS 代替后, DPP 膜的结晶度变差。电流-电压特性曲线计算得到,通过 ODPA 自组装分子修饰、 PQ 做模板层、DPP 做有机半导体层所制备的薄膜晶体管的迁移率 μ 为 8.3 × 10?3cm2/Vs,开关电流比 Ion/Ioff 达到了 2 × 104。
③ 针对目前石墨烯场效应晶体管存在的缺点,本论文将分子自组装膜引入石
墨烯晶体管,探寻其对石墨烯器件的优化作用:与石墨烯层掺杂,调节石墨烯层 费米能级,得到相应的石墨烯半导体晶体管;抑制石墨烯器件在测试过程中出现 的迟滞效应,使得石墨烯器件中介电层/有源层之间载流子传输更加稳定。并通过 电流-电压特性曲线计算了所制备的薄膜晶体管的迁移率 μ。通过测试可知,生长 在自组装分子修饰层上的石墨烯薄膜比直接生长在绝缘层上的石墨烯薄膜表面形 貌更好,薄膜结晶性明显提升。
关键词:分子自组装,界面修饰,有机薄膜晶体管,载流子迁移率
英文摘
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重庆大
重庆大学硕士学位论文
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ABSTRACT
Although organic thin film transistors made great progress in its performance, but there are still many problems. For organic thin film transistor mobility and off current ratio is low, this paper carried out a wide range of optimization and improvement, Mainly focused on the impact of the OTFT device performance after the modification of molecular self-assembly film organic semiconductor layer / insulating layer interface. The details are as follows:
① This paper describes the OTFT research progress and hot research issue,
discussed the application of molecular self-assembly techniques in the OTFT. Detailed discussion the basic structure, principle of OTFT and OTFT commonly used materials, including a substrate material, an electrode material, an insulating layer material and the organic semiconductor materials.The p-type semiconductor, fo
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