磁控溅射氧化钒薄膜制备工艺研究-材料加工工程专业论文.docx

磁控溅射氧化钒薄膜制备工艺研究 磁控溅射氧化钒薄膜制备工艺研究 重庆理工大学硕士论文 重庆理工大学硕士论文 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 VO2 薄膜可在 68℃时发生半导体-金属转变，同时伴随着光、电、磁性能的突变， 在智能窗和激光保护等方面具有潜在的应用前景。研究发现钒可与氧构成几十种氧化 物，目前采用的单一制备技术较难获得严格化学配比 VO2 薄膜。鉴于 VO2 薄膜广泛 的应用价值及目前制备技术的缺陷，选用合适的制备技术获得 VO2 薄膜显得尤为重 要。 本论文首先采用射频反应磁控溅射制备 V2O5 薄膜，随后利用自行设计研制的热 处理装置获得 VO2 薄膜。利用 X 射线衍射（XRD）、X 射线光电子能谱（XPS）、原 子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）等测试技术对制备的氧化钒薄膜进行测量， 系统分析磁控溅射工艺参数（氧分压、功率及工作气压）和真空热处理工艺参数（热 处理温度、热处理时间）的变化对氧化钒薄膜的影响。 研究发现，利用射频反应磁控溅射可获得高纯度、高致密度、高表面光洁度的 V2O5 薄膜，薄膜的结晶状态随着氧分压的变化而变化；溅射功率和气压的增大有利 于薄膜结晶，形成晶态 V2O5 薄膜。后续的真空热处理可实现 V2O5 薄膜向 VO2 含量 较高的氧化钒薄膜的转变。研究结果表明：热处理过程中所采用的真空形式对获得的 氧化钒物相具有不同的影响。绝对真空（利用磁控溅射设备获得）下，可获得没有相 变性能的 VO2(B)；相对真空（利用 N2 气获得）下，随着热处理温度（390～680℃） 的逐渐升高，薄膜物相按 V2O5—V6O13—VO2(R)—V6O13 —V2O5 的顺序进行转化。此外，热处理时间（50～300min）对磁控溅射 V2O5 薄膜物 相转化也产生显著影响，随处理时间的延长，薄膜物相的变化与温度升高条件下获得 的结果类似。热处理还会导致薄膜表面形貌的显著变化：热处理前薄膜的表面形貌为 规则排列的形状一致的塔状结构，表面致密，不存在缺陷，表面光洁度高；而热处理 后薄膜的表面形貌呈现杆状及球状结构，其原因在于，在热处理过程中，氧化钒薄膜 内会首先形成新的钒与氧的晶核，随后进一步长大。 关键词：V2O5 薄膜，VO2 薄膜，磁控溅射，真空热处理， I Abstract VO2 film undergoes a semiconductor to metal phase transition at approximately 68℃ and the associated great changes in optical 、electric and magnetic properties before and after the transition make it possible to make use of this film in smart windows、laser protection and so on. However, vanadium can form dozens of vanadium oxides with oxygen. So preparation of VO2 thin films with one method is difficult. So preparation of VO2 thin film with suitable method is very important. In this paper radio frequency reactive magnetron sputtering is used to make V2O5 and than followed by vacuum heat treatment which designed by myself to prepare VO2 thin film. The films are analyzed by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscope, scanning electron microscopy. In this paper, impact of magnetron sputtering process parameters (oxygen partial pressure, power and work pressure) and vacuum heat treatment process parameters (heat treatment temperature and time) on preparation of film are syste