磁控溅射制备磷掺杂氧化锌薄膜及其性质的研究-材料物理与化学专业论文.docx

Classified Index: TB43 U. D. C: 620 Dissertation for the Master Degree of Engineering PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF PHOSPHORUS DOPED ZnO FILMS BY MAGNETRON SPUTTERING Candidate: Huang Kai Wen Supervisor: Prof. Yu Jie Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Materials Physics and Chemistry Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: June, 2010 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology I I 摘要 摘要 氧化锌是一种宽带隙半导体（3.37eV），具有大的激子束缚能（60meV），在室 温下容易获得强的激子发射，被认为是制备紫外发光和发光二极管的理想材料， 在压电器件，紫外发光探测器，气敏传感器等方面都有十分重要的应用。因此， 成为近年来继 GaN 之后宽带隙半导体研究领域的热点课题。 本论文针对氧化锌（ZnO）研究中的“磷掺杂 p 型 ZnO 的制备和性能”问题展 开研究工作。采用磁控溅射方法，以高纯的 Ar 和 O2 为溅射气体，ZnO：P2O5(2wt%) 为靶材，在硅衬底上生长磷掺杂的 ZnO 薄膜，通过后期热处理提高了磷掺杂 ZnO 薄膜的结晶质量，改善了光学电学性质，并在 750℃空气中快速热退火条件下获得 磷掺杂的 p 型 ZnO；系统研究了不同气体成分和不同退火温度对磷掺杂 ZnO 薄膜 的结构、电学和光学性质的影响。本文还研究了退火对本征氧化锌薄膜的影响， 通过氧化锌和磷掺杂氧化锌的对比，根据本文的实验结果并结合文献报道的内容 对磷（P）掺杂形成 p 型氧化锌形成机制进行了探讨。 利用 X-射线衍射、霍尔测量仪、Raman 光谱及扫描电子显微镜对薄膜的性能 进行了分析测试，并利用光致发光方法研究了薄膜的发光性质。 结果表明当 Ar 和 O2 为流量比为 1/0.05 时, 能观察到明显的紫外发光,可在快 速热退火后得到磷掺杂 p 型 ZnO 薄膜, 随着 O2 含量增加，紫外发光峰逐渐消失, 转变为 n 型；只有在 750℃空气快速热退火后才能充分激活磷受主，得到了稳定的 p 型 ZnO:P 薄膜。随着退火温度的升高，氧化锌薄膜质量变好，当退火温度是 900℃ 时，结晶质量最好，紫外发光和可见光之比最强。通过不掺杂氧化锌和磷掺杂氧 化锌退火的对比得知，磷掺杂氧化锌中的磷取代晶格中锌的位置，在空气快速热 退火中磷受主得到激活而表现为 p 型。 关键词：p 型氧化锌; 磁控溅射; 快速热退火; 光致发光 Abs Abstract II II ABSTRACT Zinc oxide is a wide band gap (3.37eV) semiconductor with a large exciton binding energy (60meV) and possesses strong exciton emission ability at room temperature. Zinc oxide is considered as an ideal material for UV light-emitting and diodes, widely utilized in piezoelectric parts, ultraviolet light detectors, gas sensors, and other aspects. Therefore, ZnO become a hot topic following the GaN in the wide band gap semiconductor field. In this thesis, preparation of ZnO films and their doping into p-type with phosphorous were investigated. Phosphorus doped ZnO films were prepared on silicon substrate by magnetron sputtering by using high purity Ar and O2 as the working gas and ZnO: P2O5