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磁阀式可控电抗器快速响应的仿真与研究-控制理论与控制工程专业论文.docx

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磁阀式可控电抗器快速响应的仿真与研究-控制理论与控制工程专业论文

Dissertation Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master Simulation and research of magnetic valve controllable reactor fast response Candidate: Huang Xiaobin Supervisor: Prof. Zhao Xiaodong December,2013 杭州 杭州电子科技大学硕士学位论文 I I 摘 要 磁阀式可控电抗器(MVCR)作为一种新型无功补偿装置,对于改善供电质量,提高电网经 济效益起着重要的作用。由于自身结构的特点,导致其响应时间相对较长。响应速度太慢会 严重影响电抗器的动态性能,使其不能进行及时有效的补偿,甚至导致电力系统供电质量的 下降。因此对提高磁控电抗器的响应速度问题的研究是必要的,并且具有重要的研究意义和 广泛的应用前景。 在对磁控电抗器的结构特点和工作原理了解的基础上,详细分析了其工作状态,并且推 导出磁控电抗器的等效电路方程。同时通过 MATLAB 仿真和公式的推导更加直观的描述了 磁控电抗器的工作特性,特别是谐波特性和响应特性。在对 MVCR 的响应特性了解的基础上, 本文重点研究如何提高系统的响应速度,通过仿真分析和实验验证本文得出了以下相应的结 论: 1. 通过增大直流控制电压可以提高系统的响应速度。但是,直流控制电压的大小受晶闸 管导通角的限制,存在局限性。通过对响应特性进行分析,发现磁控电抗器的响应时间与抽 头比成反比,通过增大抽头比,最多可以使得控制电压变为原来的 2 倍;通过调节晶闸管导 通角可以使得系统的谐波特性几乎不变,同时有功损耗也会不增加,响应时间最快能达到 0.15s,同时对晶闸管的耐压性和精度要求较高。 2. 增加外励磁辅助结构可以提高系统响应速度。在磁控电抗器的铁心柱上添加外励磁辅 助线圈,系统运行平稳时,通过内励磁调节补偿;当系统出现较大波动时,外励磁辅助线圈 加入工作,它可以对电抗器进行正、反向励磁、消磁,从而快速改变系统磁通,提高系统响 应速度。同时对外励磁单独作用、内励磁对抗外励磁、内外励磁协同作用等方面进行了 MATLAB 仿真分析以及实验测试,结果表明了该方法具有可行性和有效性。 最后一章主要对本文的工作进行了总结,同时对磁控电抗器在今后电力系统中的发展及 应用前景作了展望。 关键词:磁阀式可控电抗器,工作特性,响应速度,直流控制电压,外励磁 II II ABSTRACT Magnetic valve controllable reactor as a new reactive power compensation device plays an important role in improving the quality of power supply and improving the economic benefit of power grid. Because the characteristics of its structure, leading to a relatively long response time. The response speed is too slow will seriously affect the dynamic performance of reactor, which cannot be timely and effective compensation, even lead to the decline of power quality in power system. It is necessary to research to improve the response speed of the reactor, and has important research significance and wide application prospect. Based on the understanding the structure and working principle of magnetically controlled reactor, detailed analysis of its working state, equivalent circuit equations and derive magnetically controlled reactor. At the same time, through the derivation of MATLAB simulation and the for

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