磁性存储器相关磁三明治材料及其应用特性研究-材料物理与化学专业论文.docx

摘要 咆子是电荷的载体，同时又是自旋的载体。利用电子电荷实现了半导体技 术的革命，而利用电子自旋正在实现信息存储领域的新一次革命。随着巨磁电 阻磁头、磁性随机存储器 (MRAM) 、自旋晶体管等自旋电子器件在重大基础理论和 应用技术上的突破，自旋电子学的理论和应用研究成为当前电子学与信息技术领域 的热点。其中基于巨磁阻效应 (GMR) 的 MRAM 以其非挥发性、高速读取和低能耗 的特点而有望成为下一代通用存储器，因而是信息存储领域最具吸引力的研究方向 之一。 两个磁性层被一个非磁性层隔开而成的铁磁层/非磁层/铁磁层磁三明治结 构，是实现 MRAM 器件最核心的组件。为了适应 MRAM 器件大存储密度的需要， 磁三明治单元在长宽尺寸上向深亚微米发展，在厚度上则仅为几十纳米。在这样小 的尺寸下，磁三明治单元层间静磁稿合效应和边缘退磁场显著增强，引起自旋电子 输运特性的深刻变化从而对器件应用产生影响;其次，微小单元磁畴结构和磁化翻 转机制也会出现变化，可能引起单元均匀性变差、读写误操作和能耗的增加。最后， 界面粗糙度、层间原子扩散等微结构缺陷的存在对器件稳定性的影响也变得明显。 这些问题，己经制约了 MRAM 器件的进一步发展。 本论文正是针对以上问题，在深入分析其内在物理机制的基础上，以磁三明治 材料为主要研究对象，在基础理论、实验仿真、材料和工艺上都作了探索性和创新 性研究，主要内容为: (1) 深入分析了纳米磁性多层膜中自旋电子输运的唯象理论模型。通过对边界 条件的调整，计算了稿合型磁性多层膜巨磁阻系数随非磁性隔离层厚度的振荡变 化，得到了与实验一致的结果。推导了磁三明治材料巨磁阻效应唯象理论五层模型， 计算了 GMR 效应与界面不对称散射因子 (Ns)和电子平均自由程 (à)的关系。首次在 理论上解释了界面自旋相关散射强、电子平均自由程短的非晶薄膜可以使磁三明治 材料以极薄的磁性层获得相对较大的巨磁阻效应。 (2) 应有有限元微磁学方法，模拟了亚微米单层薄膜椭圆型单元的氏宽 lt 、薄 膜厚度对其磁化翻转行为的影响，得到与实验观察 致的结果。基于 M也生M 器件 中电流线提供的非均匀磁场，研究了深亚微米尺度磁三明治单元的磁化翻转行为。 结果表明，无论是单层膜还是磁三明泊，其磁化翻转模式都强烈依赖于单元的长究 比 R 和薄膜厚度。对磁三明治单元，应战选择相对较大的长宽比以得到单 442定的 磁化翻转模式，但是 R 值过大将会导续翻转场过大。而较薄的磁性层 (lOnm)既可 以降低薄膜的静磁能从而减小对周回单元的 F扰，又可以得到单一的翻转模式而提 高器件操作的稳定性，因而可以有效提高 MRAM 的磁化翻转特性和存储密度。 (3)在材料上，研究了 CoNbZr 非晶软磁薄膜在磁三明治结构中的应用。详细研究 了 CoNbZr/C uJCo 和 Co/CuJCoNbZr 两种三层膜的极现结构，发现 CoNbZr 软磁薄 膜作为缓冲层时因其非品态结构而使整个薄膜具有良好的界面结构，而且 Cu 隔离 层结构致密均匀，层间原子互混程度小。实验结果表明 CoNbZr/(Co)/CuJCo 自旋阀 在极小的总厚度下(lO nm)具有 4-7%的巨磁阻效应， 1.01.5%/Oe 的磁场灵敏度和 高达 300.C 的热稳定性。首次从实验上证实了非晶软磁层对磁三明治界面结构和各 子层质量的改善是非晶磁三明治材料具有较小层间稿合和较高热稳定性的原因。 (4) 在工艺上，提出了快速循环退火 (RRTA) 方法来优化多层膜的微观结构。 RRTA 和快速退火 (RTA)方法退火周期短，温度操作范围宽，可以通过控制热处理 温度、保温时间和循环次数，给样品提供可控的能量。实验表明 RRTA(RTA) 方法 可以有效改善多层膜界面相糙度，消除层间的原子互混，并使非品软磁薄膜品化形 成性能优良的纳米晶薄膜。经快速循环退火工艺优化的磁三明治材料巨磁阻效应达 10%以上，磁场灵敏度达 2%/Oe 。 (5) 研究了微米 m微米尺度 CoNbZr/Co/C uJCo 超薄磁三明治单元及 3X3 MRAM 单元阵列的磁畴结构、翻转场、动态 MR 效应等 MRAM 应用性能。微米尺 度的 CoNbZr/Co/C uJCo 单元对快速的磁场变化具有稳定而无磁滞的线性响应特性。 而亚微米尺度的三明治磁单元，在小的长宽比下就呈现稳定的单畴状态，具有良好 的翻转特性和矩形的 MR 曲线。对于 3X3 的单元阵列，软、硬磁层的翻转场没有 重叠，分别分布在一个较小的范围内，具有合适的翻转场大小和良好的读写选择性， 因而可以实现基本的读写功能。 CoNbZr/Co/C uJCo 三明治材料的这些应用特性，使 其成为 MRAM 器件应用中