模拟电路课件一章 常用半导体器件.pptVIP

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 应用举例：直流电压源和交流电压源同时作用于二极管电路 作业：阅读1~23 3. 判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 1. P67 第三题 2. P66 1.3， 1.4，1.2 一、 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 二、主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 1.2.5 稳压二极管 例题1.2.2 已知UZ、IZmin、IZmax、RL，求限流电阻R IZmin ≤ IZ ≤ IZmax 1.3 双极型晶体管 1.3.1 BJT的结构简介 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3.3 BJT的特性曲线 1.3.4 BJT的主要参数 多子浓度高 很薄，且杂质浓度低 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1 晶体管的结构和符号 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 1.3.2 晶体管电流放大作用 BJT内部载流子的运动（以NPN为例） 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1.3.3 晶体管共射特性曲线 一、 输入特性曲线 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 二、 输出特性曲线 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 uBE ＜βiB Uon 饱和 ≥ uBE βiB Uon 放大 VCC ≈0 ≤ Uon 截止 uCE iC uBE 状态 晶体管的三个工作区域 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 1.3.4 晶体管主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性的影响 输入特性 输出特性 晶体三极管是电流控制元件，通过控制基极电流可以控制集电极电流。 要使三极管正常工作并有放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 对于NPN管三个电极的电位关系是： UCUBUE； 对于PNP管三个电极的电位关系是：UCUBUE。 三极管的特性可用输入和输出特性曲线来表示，也可用特性参数来表示。主要的特性参数有：电流放大系数?、? 小结 练习 P67 1.15，P68 1.17，P69 1.19 2. P64 第六题 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时的UBE＝0.7V，若uI=5V，则β在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？ 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 临界饱和时的 练习2 1.4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅场效应管 1.4.3 场效应管的参数及特点 1.4.4 场效应管与晶体管比较 它是一种电压控制器件。工作时，管子的输入电流几乎为 0， 因此具有极高的输入电阻(约数百兆欧以上)。 仅靠半导体多数载流子导电，故称单极型器件。它的抗温度和抗辐射能力强，工作较稳定。 制造工艺比较简单，便于大规模集成，且噪声较小 类型较多，使电路设计灵活性增大。 场效应管(FET)是利用输入回路产生的电场效应来控制电流的一种半导体器件。 它与普通晶体管相比有以下重要特点： N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 场效应管 (FE