GaAsAlGaAs多层膜刻蚀的陡直度.PDFVIP

第 9 卷 第 3 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．9，No．3 2011 年 6 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Jun．，2011 文章编号：1672-2892(2011)03-0347-04 GaAs/AlGaAs 多层膜刻蚀的陡直度 罗跃川，韩尚君，王雪敏，吴卫东，唐永建 ( 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621900) 摘 要：GaAs/AlGaAs 多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果，但在实际加工中较 难控制，因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况，用 AZ1500 光刻胶作为掩模，GaAs/Al0.15 Ga0.85 As 多层膜为刻蚀材料，分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法 刻蚀的刻蚀剂为 H PO +H O 溶液，干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀法，等离子体由 3 4 2 2 Cl +BCl (蒸汽) 混合气体电离形成。通过控制变量方法，发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法 2 3 刻蚀中 BCl (蒸汽) 流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出，提高 H PO 所占比例和降低刻蚀温度 3 3 4 虽然会降低刻蚀速率，但可以提高多层膜的陡直度；ICP 刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀，BCl3 (蒸汽) 的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。 关键词：GaAs/AlGaAs 多层膜；湿法刻蚀；感应耦合等离子体刻蚀；陡直度 中图分类号：TN405.98+2 文献标识码：A Steepness of the etching of GaAs/AlGaAs multilayer LUO Yue-chuan，HAN Shang-jun，WANG Xue -min，WU Wei-dong，TANG Yong-jian (Research Center for Laser Fusion，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621900，China) Abstract：The steepness of GaAs/AlGaAs multilayer is important to its practical applications，but it is difficult to control it，so it is necessary to research how some key factors affect the steepness in etching. Considering of specific condition，using AZ1500 photoresist as mask，this study etched GaAs/Al0.15 Ga0.85As multilayer with wet etching and dry etching respectively. In wet etching，the etchant was H PO +H O