电工学第14章 二极管和晶体管.pptVIP

第14章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件 本章作业 ⒈ 输入特性曲线 14.5 晶体管 IB/?A UBE/V 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE≥1V O 正常工作下的发射结电压：NPN型硅管：UBE = 0.6V~0.7V PNP型锗管：UBE=-0.2V~-0.3V 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 对硅管而言，当UCE≥1V时集电结已反向偏置，而基区又很薄，可把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。 此后，UCE对IB就不再有明显的影响。 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 ⑴放大区（线性区） ⒉ 输出特性曲线 ②e结正偏、c结反偏。 截止区 14.5 晶体管 ① ，IC近似恒定。 ⑵截止区 ①IB=0的曲线以下的区域。 ③IC≈0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开。 ②e结与c结均反偏。 ⑶饱和区 14.5 晶体管 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3