《微电子学概论》--Chap03》-精选·课件设计.pptVIP

3.3 MOS集成电路基础 一、集成电路中的MOSFET 按沟道的导电类型分：PMOS、NMOS、CMOS 按栅材料分：硅栅和铝栅。 NMOS还可分成：E/E MOS和E/D MOS DMOS和VMOS新结构 从工艺分： P阱工艺、N阱工艺或者双阱工艺 CMOS集成电路已成为整个半导体集成电路的主流技术，目前市场占有率超过95%。 CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电路形式，为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成n型和p型区域，并在n型区域上制作pMOSFET，在p型区域上制作nMOSFET。如果选用n型衬底，则可在衬底上直接制作pMOSFET，但对于nMOSFET必须在硅衬底上形成p型扩散区（常称为p阱）以满足制备nMOSFET的需要。 深亚微米CMOS晶体管结构STI(Shallow Trench Isolation)（浅沟道绝缘） 二、MOS数字集成电路 1 . MOS开关(以增强型NMOS为例) 一个MOS管可以作为一个开关使用，电路中Cl是其负载电容。 当Vg=‘0’时，T截止，相当于开关断开。 当Vg=‘1’时，T导通，相当于开关合上。 NMOS管开关 PMOS管开关 传输高电平’1’逻辑： 信号可以无损的传输； 传输低电平’0’逻辑： 信号传输有阈值损失； CMO