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第五章 场效应管放大电路 基本要求：1 熟悉MOSFET 、 JFET的外特性、主要 参数、使用注意事项。2 掌握FET放大电路的工作原理，静态偏　置电路，会用小信号模型方法分析动态性能。3了解FET工作原理。主要内容： 概 述5.1 金属-氧化物-半导体场效应管5.2 MOSFET放大电路5.3结型场效应管5.4砷化镓金属－－半导体场效应管5.5 各种放大器件电路性能比较概述1、场效应管 利用电场效应来控制输出电流的半导体器件 2、特点： ? 体积小、重量轻、耗电省、寿命长 ? 输入电阻高 ? 噪声低 ? 热稳定好? 制造工艺简单，便于集成化 JFET结型FET场效应管MOSFET(IGFET)绝缘栅型概述3、分类： N沟道增强型P沟道 N沟道耗尽型P沟道N沟道P沟道§5.1 金属-氧化物-半导体场效应管（Metal—Oxide—Semiconductor type FET ）(MOSFET、绝缘栅型FET)利用半导体表面电场进行工作，输入电阻可高达1015?按载流子的带电极性： N沟道、P沟道 按按导电沟道形成机理：增强型、耗尽型?增强型(E型)MOSFETvGS=0时， 没有导电沟道 存在?耗尽型(D型)MOSFETvGS=0时，有导电沟道存在DDGGN+N+SSP衬底N沟道增强型　　MOSFETP沟道增强型　　MOSFET5.1.1　N沟道增强型MOSFET漏极D或d一、结构及符号源极S或s栅极 G或g1. 结构：2 .符号： SiO2衬底 B或b＋?D－ ?SVGGVDD+?G－?S衬底S二 、工作原理　1. 正常放大时各极电压极性：G、S间加正偏压 D、S间外加偏压2. 工作原理: (P200)(1) vGS 对 iD的控制作用：? vGS =0， 无导电沟道 iD =0? vGS ?垂直电场 vGS ??≥ VT 形成导电沟道开启电压（刚好形成导电沟道时的vGS ) vGS ? ?? 导电沟道厚度 ? ? 沟道电阻 ? ? iD ? ?(2) vDS对导电沟道的影响作用： vDS ? ? iD随vDS增大而增加导电沟道倾斜，vDS ? ? ? ( =vGS-vDS=VT )预夹断vDS ? ? ? ?夹断区增长　iD不随vDS增大而增加AAIDOBBCCDD三 、V-I 特性曲线及特性方程? 输出特性 ? 转移特性 ? FET工作区： 饱和区、可变电阻区、击穿区 开启电压SiO2＞0＝0＜0vGS导电沟道5.1.2　N沟道耗尽型MOSFET 一、结构及工作原理1.结构特点：SiO2中掺入大量正离子漏极D漏极DGG栅极栅极S源极S源极P沟道耗尽型　MOSFETN沟道耗尽型　MOSFET 2.符号G、S间偏压＋?DVDD－?SN沟道＞0＝0＜0VGG衬底S3. 正常放大时各极电压极性： D、S间外加偏压二、V-I 特性曲线及特性方程(P206)? 输出特性 ? 转移特性 5.1.3　P沟道MOSFET (P206 自学 )5.1.4　沟道长度调制效应 (P207 自学、了解)5.1.5　MOSFET的主要参数 (P208 自学)一、 直流参数　1.开启电压 VT 2.夹断电压 VP 3.饱和漏极电流 IDSS 4.直流输入电阻 RGS二、 交流参数　1.输出电阻 rds 2.低频跨导 gm :反映vGS对iD的控制作用 单位是mS(毫西门子)三、 极限参数　1.最大漏极电流 IDM 2.最大耗散功率 PDM 3.最大漏源电压 V(BR)DS 4.最大栅源电压 V(BR)GS §5.2 结型场效应管 （Junction type Field Effect Transistor----JFET）( P225? P230 自学 )要求：了解JFET结构、工作原理；掌握JFET特性、符号。掌握JFET工作在放大区时外加电压极性：4. 熟悉P237 表5.5. 1复习与思考P211 5.1.3P233 5.3.4 5.3.6 作业：P249 5.1.1、 5.1.2、 5.3.5 §5.3 FET放大电路5.3.1　FET放大电路 (P211 ? P221及P231 )BJTFETCECS CCCDCBCG一、 直流偏置及静态工作点计算 1. 直流偏置电路2. 静态工作点计算：( P211? P214 电路求解及例题自学、了解)二、 图解分析( P215 自学、了解)三、 小信号模型分析 　MOSFET放大电路　P216 ? P221 JFET放大电路 P231 ? P2321 . FET小信号模型（低频模型) 1. 应用小信号模型法分析FET放大电路 例1 (P218例5.2. 5)已知: 共源极放大电路，gm=1mS 试