倒装叠层金钉头凸点键合成型仿真及可靠性研究-机械工程专业论文.docx

摘 摘 要 I万方数据 I 万方数据 摘 要 倒装芯片技术是芯片互连主要方式之一。本文通过有限元仿真以及实验验证的方 法，对倒装芯片叠层金钉头凸点键合成型及其应力应变进行了分析：倒装叠层第一层 金钉头凸点应力应变水平分布较高的区域集中在以焊盘几何中心的同心圆周边区域， 金钉头凸点将优先在这个区域内与焊盘形成键合；倒装芯片叠层金钉头凸点高度随着 键合压力、键合功率以及键合时间的增大而减少，第一层金钉头凸点直径和第二层金 钉头凸点直径随着键合压力、键合功率以及键合时间的增大而增大；倒装叠层金钉头 键合过程中，劈刀对第一层金钉头凸点关键尺寸的影响少于对第二层金钉头凸点的影 响；进行第二层金钉头凸点的键合时，为了保证第一层金钉头凸点不会因为第二层金 钉头凸点的键合出现失效，需要保证键合压力以及键合功率在一定的范围之内。 基于正交试验设计，设计了键合工艺参数不同水平组合倒装叠层金钉头热循环加 载仿真凸点应力应变分析，结果表明：倒装叠层金钉头凸点热循环应力应变分布是不 均匀的，应力应变最大值出现在凸点与焊盘键合处；倒装叠层金钉头凸点热循环加载 条件下关键时刻点最大应力应变值极差方和方差分析表明：热循环加载条件下，键合 参数对倒装叠层金钉头凸点应力应变影响由大到小排序为：键合压力键合功率键 合时间；其中键合压力对倒装叠层金钉头凸点应力应变影响为显著，其它两个键合工 艺参数不显著；倒装叠层金钉头凸点最优键合工艺参数水平组合为：键合压力为 64gf、 键合功率为 0.15w 以及键合时间为 34ms。 对热压超声焊机制作的倒装叠层金钉头凸点样件进行了 100 天共计 2400 小时的 热循环加载可靠性实验，金钉头凸点失效数据极差和方差分析表明：热循环加载条件 下，各键合工艺参数对倒装叠层金钉头凸点可靠性影响按大小排序为：键合压力键 合功率键合时间；热循环加载条件下，对倒装叠层金钉头凸点可靠性影响显著的键 合工艺参数是键合压力，其它两个键合工艺参数为不显著；倒装叠层金钉头凸点最优 键合工艺参数水平组合为：键合压力 64gf、键合功率 0.15w 以及键合时间 34ms；利 用 Weibull 分布对倒装叠层金钉头凸点热循环加载失效数据分析表明：倒装叠层金钉 头凸点热循环加载失效 Weibull 分布的尺度参数??和形状参数 ??分别为 515.1522 和 5.032403；其期望寿命（平均寿命） E(t) 为 474.3985 小时，中位寿命 t0.5 为 478.967 小时，特征寿命 t0.368 为 515.1186 小时。 关键字：叠层金钉头凸点；键合成型；热循环加载实验；可靠性分析 Abstract Abstract II万方数据 II 万方数据 Abstract Flip chip technology is one of the main chip connections. The stacked gold stud bump bonding forming and the stress and the strain of the stacked gold stud bump is researched in this paper used the method which combine the finite element simulation with the experiment, and the result show: the larger stress locate the edge of a concentric circles which center lie the geometric center of the pad, the bonding will form preferred in this area; the stacked gold stud bump height should decreased when the bonding pressure, bonding time and bonding power increases with the time, the first gold stud bump diameter and the second gold stud bump diameter should increase when the bonding pressure, bonding time and bonding power increases with the time. The capillary has more influence to the key size of the second gold stud bump compare to the first