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西安电子科技大学半导体物理课件——第七章_金属和半导体的接触
第七章 金属和半导体的接触
主 讲:施 建 章
E-Mail: jzhshi@mail.xidian.edu.cn
西安电子科技大学技术物理学院
二零零七年九月
第七章 金属和半导体的接触
主 要 内 容
一、金属和半导体接触的能级图
二、金属半导体接触整流理论
三、金属半导体的欧姆接触
金属的功函数
金属功函数
W E E ( −)
m 0 F m
1. 金属功函数的值与表面状况有关;
2. 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化。
金属的功函数
半导体的功函数
半导体功函数
W E E ( −)
s 0 F s
电子亲和能
Eχ E0 − c
故
W E [ E ( χ)+] − χ +E
s c F s n
其中
E E E ( −)
n c F s
半导体的功函数
** 半导体的费米能级与掺杂浓度有关,故其功函数与杂质浓度也紧密相关!
接触电势差
! 以金属与n型半导体相接触为例,且假设W W 。
m s
金属和半导体间距离D很大时的接触电势差:
W W −
s m
V V V − ′
ms m s
q
接触电势差
! 以金属与n型半导体相接触为例,且假设W W 。
m s
随着距离D的减小,空间电荷区变宽,半导体表面产生电势差Vs,
此时:
W W −
s m V +V
ms s
q
接触电势差
! 以金属与n型半导体相接触为例,且假设W W 。
m s
当金属和半导体紧密接触时,电势全部落在空间电荷区,此时:
W W −
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