低LIGBT衬底漏电流新结构研究-集成电路工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 南京邮电大学学位论文原创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。 研究生签名： 日期： 南京邮电大学学位论文使用授权声明 本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文 档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索； 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。本文电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。 涉密学位论文在解密后适用本授权书。 研究生签名： 导师签名： 日期： 摘要 LIGBT 作为一类重要的栅控双极功率器件，既具有 MOSFET 的控制功率小、输入阻抗高、 驱动电路简单、开关速度高的优点，又有双极型功率晶体管的饱和压降低、电流密度大、电 流处理能力强的优点，因此 LIGBT 器件被广泛地应用在各种功率集成电路以及电力电子系统 中。但在工作中，由于电导调制作用，阳极会向漂移区注入大量空穴，其中部分空穴会在正 漏极电压作用下直接注入到衬底，从而产生严重的衬底漏电流，影响电路性能。为降低 LIGBT 的衬底漏电流，本文提出如下两类新结构： （1）针对自热效应严重，击穿电压低的的问题，提出了分层 SO ILIGBT 结构：新结构 引入了埋氧层阳极和中间窗口，通过利用衬底参与承担电压体和利用硅窗口传导热量，提高 了整个器件的耐受电压并且降低了自热效应。仿真结果表明：新结构的击穿电压提高 1.5 倍 以上，工作时的热点温度下降 15K 以上，同时衬底漏电流低至 7×10-12A/μm，开关速度基本 不变。 （2）针对第一种结构工艺复杂，电流导通能力不够强的问题，提出了双通道 SO ILIGBT， 新结构引入了双栅结构，并且进一步缩短埋氧层的长度，通过增加导电通道的方法，提高了 电流导通能力，仿真结果表明，新结构的击穿电压达到 400V 左右，饱和电流浓度最高达到 3.7A/μm，同时衬底漏电流在 7×10-12A/μm 以下，开关速度基本不变。 关键词: LIGBT，隔离，衬底漏电流，温度，击穿电压 I Abstract LIGBT devices are an important class of power devices, both because of its high input, small power control, simple drive circuit, high switching speed as same as MOSFET. At the same time it also has a high current density, the low saturation voltage drop, excellent current handling capability as same as bipolar power transistors, so LIGBT devices are widely used in a variety of power ICs and power electronics system. However in operating state, because of the conductivity modulation effect, a large number of anode holes injected into the drift region, part of the holes will continue inject into the substrate directly, resulting in severe leakage substrate currents, affect circuit performance. In order to reduce the leakage.substrate current.we propose two novel structure. For the serious self-heating effect and low breakdown voltage,the layered SOI LIGBT was proposed the new structure introduced