溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响.pdf

第 36卷 第 4期 真 空 科 学 与 技 术 学 报 2016年4月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY 391 溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 刘媛媛 赵继凤 李延辉 宋淑梅 辛艳青 杨田林 (山东大学空间科学与物理学院 威海 264209) FabricationandCharacterizati0n0f p In203SnO2ZnOThinFilm Transistor LiuYuanyuan，ZhaoJifeng，LiYanhui，SongShumei，XinYanqing，YangTianlin r (DepartmentofSpaceScienceandPhysws，ShandongUniversity，Weihai264209，China) f Abstract TheIn2O3-SnO2-ZnOthinfilmtransistor(ITZOTFTr)wasfabricatedbyRFmagnetronsputtering． TheinfluenceofthepressureontheelectricalandopticalpropertiesoftheITZO TFTswasinvestigated．Theresults P show thatthepressure significantly affectsthecharacteristicsoftheamorphousITZO TFT workingin depletion mode．Forexample，asthepressureincreased，thesub-thresholdswingandthresholdvoltageschangedinadecrease— increaseway；andthefieldeffectmobilityslowlydecreased，possiblybecauseofdominanceofthecarriersconcentra— e tionandinterfacialdefectsdensity．Fabricatedat0．4 Pa．theITZO TFT exhibitstheoptimizedproperties：afield l effectmobilityof24．32cm ／V ·s，asub—thresholdswingof1．10V／decadeandanI。n／。ratioof10。．Inaddition， theaveragetransmittanceofITZO activelayerwasover80％ invisiblelightrange，andtheopticalbandgap，in3．2 o ～ 3．4 eV range，variedinadecrease—increasemannerwithanincreaseofthepressure． i Keywords Sputteringpressures，ITZO TFT，Magnetronsputtering，Opticalbandgap 摘要 利用射频磁控溅射技术 ，在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管 (ITZOTPr)，分析了ITZOT胛 电学 性能随气压的变化规律。研究结果表明：非晶ITZOT丌 的工作模式均为耗尽型；随着气压的增大，亚阈值摆幅及阈值电压先 g 减小后增大、场效应迁移