氧含量对VO2晶格特性和结构相变影响的研究.pdf

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氧含量对VO2晶格特性和结构相变影响的研究

Vo1.24,No.2 第24 卷第2 期 Vol. 24 , No.2 红外与毫米波学报 第24卷第2期 红外与毫米波学 报 April,2005 April , 2∞5 2∞5 年4 月 2005年4月 J. Infrared Millim. Waves J.Infrared Millim.Waves 文章编号:1 ∞1 -90\4(2∞5 )02- ∞93 -04 文章编号:1001—9014(2005)02—0093—04 氧含量对 V0 _ 晶格特性和结构相变影晌的研究 氧含量对VO2 晶格特性和结构相变影响的研究 2 x 陆卫 陈效双, 王少伟, 潘梅, 钟红梅, 李志锋, 潘 梅, 钟红梅, 王少伟, 李志锋, 陈效双, 陆 卫 (中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 2α)()83 ) (中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083) 摘要:采用沉淀法制备了氧含量不同的 V0 . 纳米粉.对样品进行了差式扫描量热(DSC) , X-射线衍射(XRD) 和透 摘要:采用沉淀法制备了氧含量不同的VO 纳米粉.对样品进行了差式扫描量热(DSC)、X一射线衍射(XRD)和透 2 x 射电子显微镜(TEM) 的测试,并结合第一性原理的计算结果,具体分析了氧含量对氧化饥纳米粉的晶格特性和结 射电子显微镜(TEM)的测试,并结合第一性原理的计算结果,具体分析了氧含量对氧化钒纳米粉的晶格特性和结 构相变造成的影响;缺氧样品中形成饥填隙,富氧样品中形成氧填隙,两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀;缺陷带 构相变造成的影响:缺氧样品中形成钒填隙,富氧样品中形成氧填隙,两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀;缺陷带 来的各向异性造成晶粒形状的改变;同时,不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影响氧化轨的结 来的各向异性造成晶粒形状的改变;同时,不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影响氧化钒的结 构相变特性的重要因素之一. 构相变特性的重要因素之一. 关键词:氧化饥纳米粉;晶格特性;相变:化学剂量比 关 键 词:氧化钒纳米粉;晶格特性;相变;化学剂量比 中图分类号:TQ174 文献标识码:A 中图分类号:TQ174 文献标识码:A INFLUENCE oF oXYGEN CoNTENT oN THE PRoPERTIES INFLUENCE

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