基于国产THGEM的低能电子二位置探测器研究.pptVIP

基于国产THGEM的低能电子二维位置探测器研究 颜嘉庆1,3，谢宇广1,2 1.核探测与核电子学国家重点实验室 2.高能物理研究所 3.南华大学 2014-8-14 十七届全国核电子学与核探测技术学术年会，甘肃，兰州 目录 引言 二维位置探测器结构 厚型气体电子倍增器（THGEM）的性能 3.1 测试方法 3.2 增益 3.3 能量分辨率 3.4 稳定性 探测器模拟优化 4.1 Geant4模拟 4.2 Garfield模拟结果 5. 结论 1.引言 600 200 70 um 2.二维位置探测器结构 3.厚型气体电子倍增器（THGEM）的性能3.1测试方法 如上图所示的实验装置，用5.9keV 55Fe X射线源对双层THGEM进行测试。漂移 电场Edrift = 1kV/cm，传输电场Etran = 1kV/cm，感应电场Eind = 4kV/cm，输 出的信号经过前放、主放，再经过多道，最后连到电脑上 3.2增益 上图是在Ar+iC4H10=97:3和Ar + CO2=90:10两种工作气体中测得的单层和 双层高位置分辨THGEM的增益曲线。可以看出，这种THGEM的增益单 层最高达到1×104，双层最大增益好于6×104。 3.3能量分辨率 在Ar+iC4H10=97:3工作气体中，测得了双层THGEM的