微机原理第五章存储器暗灰.pptVIP

5-2 随机存取存储器RAM EPROM 2764有4种工作方式，即读方式、编程方式、 检验方式和备用方式，如表5-2所示。 信号端 VCC VPP D7～D0 读方式 +5V +5V 低 低 低 输出 编程方式 +5V +25V 高 高 正脉冲 输入 检验方式 +5V +25V 低 低 低 输出 备用方式 +5V +5V 无关 无关 高 高阻 未选中 +5V +5V 高 无关 无关 高阻 表5-2 EPROM2764的工作方式 1. 读方式：VCC和VPP接+5V电压，从地址线A12～A0 输入所选单元的地址，当 和 端为低电平时，数 据线上出现所寻址单元的数据。当 为低电平时，允 许把数据读出。 2. 编程方式：VCC加+5V电压，VPP加+25V电压（不同 芯片电压值可能不一样，如有+12V的）， 端为高电平， 从A12～A0端输入要编程单元的地址，在D7～D0端输入编 程数据。在 端加上编程脉冲，宽度为50ms的TTL高 电平脉冲，即可实现写入。 3. 检验方式：VCC加+5V，VPP加+25V电压， 接低电 平， 为低电平。检验总是和编程方式配合使用，每次 写入1个字节数据后，紧接着将写入的数据读出，去检查写 入的数据是否正确。 4. 备用方式：也就是使EPROM工作在功率下降方式，此 时与芯片未选中类似，但功耗仅为读方式下的25%。备用方 式时，只要在 端输入一个TTL高电平即可，此时，数据 输出呈高阻状态。因为在读方式下， 和 两端连在一 起，若某芯片未被选中， 和 处于高电平状态，那么 此芯片就处于备用方式下，这就大大减少了功耗。 四、电可擦除可编程ROM（EEPROM） EPROM尽管可以擦除后重新进行编程，但擦除时需用紫外线光源，使用起来仍然不大方便。电可擦除的可编程ROM，简称EEPROM，它的外形管脚与EPROM相似，仅擦除过程不需要用紫外线光源。它是采用电脉冲进行擦除。 5-4 CPU与存储器的连接 在CPU对存储器进行读写操作时，首先在地址总线上给出地址信号，然后发出相应的读或写控制信号，最后才能在数据总线上进行数据交换，所以CPU与存储器的连接包 括地址线、数据线和控制线的连接等三个部分。在连接时要考虑以下几个问题： （1）CPU总线的负载能力 一般来说，CPU总线的直流负载能力可带一个TTL负载，目前存储器基本上是MOS电路，直流负载很小，主要负载是电容负载，因此在小型系统中，CPU可直接和存储器芯片相连，在较大的系统中，考虑到CPU的驱动能力，必要时应加上数据缓冲器或总线驱动器来驱动存储器负载。 （2）CPU的时序和存储器存取速度之间的配合 CPU在取指令和读写操作数时，有它自己固定的时序，应考虑选择何种存储器来与CPU时序配合。若存储器芯片已经确定，应考虑如何实现TW周期的插入。 （3）存储器的地址分配和片选 内存分为ROM和RAM区，RAM区又分为系统区和用户区，每个芯片的片内地址，由CPU的低位地址来选择。一个存储器系统有多片芯片组成，片选信号由CPU的高位地 址译码后取得。应考虑采用何种译码方式，实现存储器的芯片选择。 （4）控制信号的连接 8086CPU与存储器交换信息时，提供了以下几个控制信号：M/ 、 、 、ALE、 READY、 、DT/ 和 ， 这些信号与存储器要求的控制信号如何连接才能实现所需要的控制功能。 一、存储器的地址选择 一个存储器系统通常由许多存储器芯片组成，对存储器的寻址必须有两个部分，通常是将低位地址线连到所有存储器芯片，实现片内寻址，将高位地址线通过译码器或线性组合后输出作为芯片的片选信号，实现片间寻址。由地址线的连接决定了存储器的地址分配，下面分别叙述三