第期电子学报年月纳米寄生双极晶体管效应的仿真研究赵雯郭晓强陈伟罗尹虹王汉宁西安交通大学核科学与技术学院陕西西安西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安北京微电子技术研究所北京摘要以双阱工艺的为研究对象采用三维数值模拟方法结合中晶体管布局和邻近的相对位置对寄生双极晶体管效应致纳米内部节点电势多次翻转的产生机制进行了深入阐述对寄生双极晶体管效应致纳米发生的影响因素进行了详细研究发现寄生双极晶体管效应致内部节点电势多次翻转源于阱中两个漏极电势的竞争过程竞争过程与寄生双极晶体管效应
第10期 电 子 学 报 Vol.46 No.10
2018年10月 ACTAELECTRONICASINICA Oct. 2018
纳米 SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究
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