硅表层扩散杂质在.PDFVIP

京 学学报 自 一九八 四年第五期 北 大 然科学版 几 , 。 硅表层扩散杂质在 一 激光 辐照后的 电激活特性 张 玉 峰 杜 永 昌 李 大 军 北 京 大 学 物 理 系 李元恒 中 国科 学院 力 学研 究 所 本文研究了硅 中高温扩散硼和磷样 品在 一 激光作用 下薄层 电阻、 载流子面密度 、 迁移 率和表面薄层 载流子浓度 的变化。 经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过 了杂 。 。 质 的固溶度极限 通过 高温热退火和再次激光辐照研究了 “超 固溶度 ” 的不稳定性 同 时对 样 品 的正面和背面激光辐照对载流子 的电激活效果作 了 比较。 、 一 引 言 硼和磷是半导体硅 中最常用 的掺 杂元素 , 而高温扩散 是通常采 用 的掺杂手段 , 在 高温 高 浓度扩散过程 中, 在硅表面一 薄层 中扩 散杂质会形成浓度很高 的非 电激 活状态 的沉淀 团, 并 且高温扩散会在 晶体 中引起大量位错 缺陷 , 这些缺 陷和沉 淀 团往往 构成有效 的复合 中心 从而 一 二 ‘ 。 卫 影 响 了载流子 的寿 命和 器件 的 结特性 一 〕 等人 〔三发现用 调 红 宝 石激 光 辐 照 的 方 法可 以 使扩硼和扩磷样 品中表 层沉淀 团消失并消除位错缺 陷, 从而提高 了载流 、 。 ,