电子能谱学6.pptVIP

清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇跃迁几率 根据俄歇电子能量分布图和俄歇几率分布图，原则上对于原子序数小于15的元素，应采用K系列的俄歇峰； 而原子序数在16~41间的元素，L系列的荧光几率为零，应采用L系列的俄歇峰； 而当原子序数更高时，考虑到荧光几率为零，应采用M系列的俄歇峰。 在实际分析中，选用哪个系列的俄歇线还必须考虑到信号强度的问题。如Si 元素，虽然K系俄歇线的荧光几率几乎为零，但由于Si KLL(1380)线的信号较弱，最常用的分析线则是Si LVV(89)。 清华大学化学系材料与表面实验室 平均自由程与平均逃逸深度 俄歇电子的强度还与俄歇电子的平均自由程有关。 因为在激发过程产生的俄歇电子在向表面输运过程中，俄歇电子的能量由于弹性和非弹性散射而损失能量，最后成为二次电子背景。 而只有在浅表面产生的俄歇电子才能被检测到，这也是俄歇电子能谱应用于表面分析的基础。 逃逸出的俄歇电子的强度与样品的取样深度存在指数衰减的关系。 N = N0e-z/? 清华大学化学系材料与表面实验室 在三种材料中理论计算的非弹性平均自由程与电子能量的关系 清华大学化学系材料与表面实验室 平均自由程 一般来说，当z达到3?时，能逃逸到表面的电子数仅占5%，这时的深度称为平均逃逸深度。平均自由程并不是一个常数，它与俄歇电子的能量有关。 图7 表示了平均自由程?与俄歇电子能量的关系。从图上可见，在75~100 eV处，?存在一个最小值。俄歇电子能量在100 ~ 2000 eV之间，?与E1/2成正比关系。这一能量范围正是进行俄歇电子能谱分析的范围 清华大学化学系材料与表面实验室 清华大学化学系材料与表面实验室 平均自由程 平均自由程?不仅与俄歇电子的能量有关，还与元素材料有关。M.P.Seah等综合了大量实验数据，总结出了以下经验公式； 对于纯元素： ? = 538E-2 + 0.41(aE)1/2 对于无机化合物： ? = 2170E-2 + 0.72(aE) 对于有机化合物： ? = 49E-2 + 0.11E1/2 式中 E -- 以费米能级为零点的俄歇电子能量，eV; a -- 单原子层厚度，nm; 清华大学化学系材料与表面实验室 积分谱和微分谱 俄歇谱一般具有两种形式，积分谱和微分谱； 积分谱可以保证原来的信息量，但背景太高，难以直接处理；可以直接获得。 微分谱具有很高的信背比，容易识别，但会失去部分有用信息以及解释复杂。可通过微分电路或计算机数字微分获得。 清华大学化学系材料与表面实验室 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇化学效应 虽然俄歇电子的动能主要由元素的种类和跃迁轨道所决定； 但由于原子内部外层电子的屏蔽效应，芯能级轨道和次外层轨道上的电子的结合能在不同的化学环境中是不一样的，有一些微小的差异。 这种轨道结合能上的微小差异可以导致俄歇电子能量的变化，这种变化就称作元素的俄歇化学位移，它取决于元素在样品中所处的化学环境。 * 电子能谱学第6讲俄歇电子能谱原理 朱永法 清华大学化学系 2002.11.5 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇电子能谱 俄歇电子能谱的原理 俄歇电子能谱仪 俄歇电子能谱的实验方法 俄歇电子能谱的应用 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇电子能谱原理 俄歇电子的发现 俄歇电子能谱的发展 俄歇电子能谱的重要性 俄歇电子能谱的应用领域 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇电子能谱的建立 1925年Pierre Auger就在Wilson云室中发现了俄歇电子，并进行了理论解释； 1953年J.J.Lander首次使用了电子束激发的俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES)并探讨了俄歇效应应用于表面分析的可能性 1967年在Harris采用了微分锁相技术，使俄歇电子能谱获得了很高的信背比后，才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪 1969年Palmberg等人引入了筒镜能量分析器（Cylindrical Mirror Analyser,CMA），使得俄歇电子能谱的信背比获得了很大的改善 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇电子能谱的特点 俄歇电子能谱可以分析除氢氦以外的所有元素 ，是有效的定性分析工具； 俄歇电子能谱具有非常灵敏的表面性，是最常用的表面分析手段，检测深度在0.5-2nm；检测极限约为10-3原子单层。 采用电子束作为激发源，具有很高的空间分辨率，最小可达到10nm。 可进行微区分析和深度分析，具有三维分析的特点。 要求是导体或半导体材料； 清华大学化学系材料与表面实验室 俄歇电子能谱的发展趋势 高空间分辨率，10nm； 更好的深度分辨能力，样品旋转技术，提高深度分辨能力；