低功耗Single-Port+SRAM编译器设计与分析.pdfVIP

编译器简介 与SRAM IP的全定制方法不同，MemoryCompiler是另外一种设计技术和实 现方法。使用者可以通过图形界面或者Shell命令输入一系列参数，Memory Compiler收到参数指令以后就会调用物理库里面的各种数据，按照设计好的程 序把基本的单元拼接在一起，就能够产生一定容量范围内各种gRAM实体 (Instance)【1，21。 使用者需要输入的参数包括： ·Library —Compiler使用的物理库的名字； ·RunningDirectory一数据产生后存放的路径； ·InstanceName 一要产生的SRAM实体的名字； ·NumberofWords 一字的数目； ·Number ofBits 一位数； Width ·Ring ～电源和地环的宽度； ·Frequency(MHz)一频率； ·Write MaskNumber 一多少位要被一个“WE”控制； Width ·Multiplexer—Mux的宽度，会影响Instance形状； ·Horizontal Ring Layer一选择Ring的横向层次； ·Vertical RingLayer一选择Ring的纵向layer； Metal ·Top Layer 一芯片顶层的layer。 参数输入之后，等待几分钟时间，Compiler就会产生一系列的数据文件： ·GDSII File Layout ·LVSNetlist ：CDL格式，用来LVS和function仿真的网表； ·VeriModelCode log level simulation： ：Verilog格式，用来gate ’ Model ·Function＆Timing ：．1ib或者．db格式，用来做动态或静态时序(Timing)分析 和综合。包含功耗(Power)信息； ·Frameview ：．1ef格式，用来做自动布局布线(P＆R)； ·Datasheet ：用来查看输入的参数信息，和时序(Timing)信息。 4 万方数据 MemoryComplier物理库包括电路单元库，版图单元库，版图接口信息库等 等。使用MemoryCompiler软件，调用电路单元库和对应的拼接方法，就能够 产生Instance的Gds和Frame。 低功耗SRAM的相关研究 低功耗SRAM的研究是数字集成电路领域中的研究热点之一。关于降低SRAM 功耗的设计技术有很多，主要有以下几方面： 1)采用分割位线(Di