优化处理与合成.ppt

反应气体，以CH4和H2为例，在扩散到基片表面前先混合。经过一个激发区（即热丝或微波放电），气体分子在那里获得能量而激发，激发为反应离子和电子。经过激发区后，这些反应物继续混合并经历一系列复杂的化学反应后到达基片表面。反应物被吸附并与基片表面反应，在适宜的条件下，生成金刚石。 在CVD的合成条件下石墨是碳的稳定相，但由于石墨与金刚石之间的自由能相差很小，因此在反应过程中大部分碳转化为sp2结构的石墨，有极少部分碳转化成sp3结构的金刚石。如果能及时有效地除去sp2结构的石墨状碳而留下sp3结构的金刚石碳，金刚石的生长就能实现。 金刚石结构 石墨结构 基片表面大量存在的原子氢起关键作用： 原子氢能稳定金刚石表面的“悬挂键”，防止表面石墨化 原子氢对sp2结构碳的刻蚀能力远远大于对sp3结构碳的刻蚀能力。大量原子氢不停地将生成的石墨刻蚀掉，留下金刚石，使金刚石得以不断地长大 原子氢能有效地与反应先驱物质—碳氢化合物反应，生成大量有利于金刚石薄膜生长的活性基团。 类金刚石薄膜结构上属于无定形碳，无定形碳的共同特点是空间结构上长程无序。无定型碳中碳原子可能与另外一至四个碳原子以共价键结合，形成一种复杂结构。这种结构是由共价键在空间形成的三维交叉碳原子环网络，每个原子还因范德瓦尔斯力与较远的原子发生作用，类金刚石薄膜就是由这种结构的碳构成的薄膜。膜中的化学键主要是SP3键(金刚石键)和SP2键(石墨键)。SP3键含量越高，膜层就越坚硬致密，宏观性质就更类似于金刚石。 碳同素异性体 6.1.2.2 CVD制备金刚石多晶膜技术 包括：热解CVD法、等离子体CVD法、火焰CVD法等。 （1）热解CVD法 是目前制备金刚石多晶薄膜最常用的方法之一。钻石和其他仿钻宝石镀膜即使用该方法。 反应室采用石英玻璃管，基片支撑物由耐高温的金属制成，气相原料为含碳氢的低分子有机化合物和氢气。 反应室抽真空后，气相原料从装置上部输入反应室，钨丝经直流稳压电源加热达2000℃以上，基片温度为500-900℃，反应室的温度为700-900℃，气压为105Pa。该条件可使基片上外延生长出金刚石多晶薄膜。 （2）等离子体CVD法 等离子体CVD法包括直流等离子体CVD、射频等离子体CVD、微波等离子体CVD等几种方法。 基本原理是把气相原料等离子化，形成等离子气体，其中所含的各种状态游离基，在基片上沉积生长出金刚石多晶薄膜。 射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PCVD） 无极环形放电，射频频率为13.56MHz HMPS-2050多用途微波等离子体CVD系统 等离子体沉积（PVD/CVD)及表面处理系统—集磁控溅射沉积和等离子体化学气相沉积(PVD/CVD)于一体 多功能等离子体复合系统可用于薄膜材料沉积、刻蚀；纳米材料沉积；材料表面等离子体处理；硅基和碳基薄膜材料（纳米管、类金刚石、氧化硅、氮化硅等）沉积；材料表面等离子体清洗、处理等。 资料： 电子回旋波共振等离子体(Electron-Cyclotron-Wave-Resonance Plasma，缩写为ECWR-plasma)技术由德国真空协会主席 H.Oechsner教授发展而成。ECWR—等离子体是一种用途广泛，操作简便的低温低压等离子体。它工作气压低（小于0.1Pa），等离子温度几百K，电子温度在105K量级。ECWR－等离子体工作在约25高斯的磁场下，激发源频率在射频范围，本设备选取在27.12MHz（27.12MHz或13.6MHz皆可）。ECWR－等离子体加载射频偏压，射频频率为60MHz。通过改变射频输入功率，离子沉积能量可以从几十到几百eV方便调节。????? ECWR—等离子体既可以用作离子源，研究离子－固体相互作用，本身也可用来实现新材料的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。等离子体束轰击绝缘体表面，可有效避免荷电效应，特别适用于纳米晶宽带材料生长机理的研究。 ECWR—等离子体的应用领域：1.作为电离后电子源用于二次中性粒子质谱(SNMS)仪。 2.作为离子源用于SIMS（二次离子质谱）＋XPS（X射线光电子能谱）复合分析技术。 3.大面积物理气相沉积玻璃涂层(保温玻璃，导电玻璃，透明玻璃，德国Schott公司)。 4.化学气相沉积(德国BMW汽车公司项目，CH2 + CH4 等离子体在塑料上加防渗漏涂层。由于该等离子体的低温特性，塑料可直接插入等离子体内而不会熔化)。 5.用于材料改性研究，离子刻蚀等。 电子回旋共振波等离子体(ECWR-plasma)技术 （3）火焰CVD法 生长金刚石薄膜用的氧、乙炔焰为热等离子体。火焰分内焰和外焰。外焰为氧化焰、