高可靠BLDCM驱动电路换相控制法研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 注 1：注明《国际十进分类法 UDC》的类号。  THE STUDYING OF THE HIGH RELIABLE PHASE-CHANGING CONTROL OF BLDCM DRIVING CIRCUITS A Doctor Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Microelectronics and Solid-State Electronics Author: Sun Jiang Advisor: Prof. Zhang Bo School : School of Microelectronics and Solid-State Electronics  注 1 注明《国际十进分类法 UDC》的类号 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究 工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致 谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果， 也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使 用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已 在论文中作了明确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位 论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印 件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以 将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采 用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日  摘要 摘 要 随着信息时代和数字化时代的到来，电子元件集成度愈来愈高，各种消费类 电子产品呈现出轻薄化，小型化的发展趋势。空间越来越小，集成度越来越高， 电子产品散热问题愈发突出，因此无刷直流电机（BLDCM，Brushless DC Motor） 被广泛使用。然而各种 BLDCM 驱动电路换相控制国内鲜有涉及，国际上也主要 为两家大厂所垄断，如日本的 Sanyo 和 Rohm，因此研究 BLDCM 驱动电路换相控 制具有重要的学术意义和经济价值。 本论文主要对高可靠 BLDCM 驱动电路换相控制进行研究。通过分析工作原 理，研究了高可靠 BLDCM 驱动电路的换相控制法。主要包括：反冲电压产生及 抑制机理与抑制方法；研究 BLDCM 换相的软开关控制法。创新性提出两种换相 控制电路：反冲电压抑制电路与软开关换相控制电路。具体创新如下： ① 提出一种感性负载反冲吸收电路（KAC，Kickback Absorption Circuit：IEEE T-IE，2011.02）。该电路利用高速比较器检测感性反冲电压是否出现。一旦检测到 反冲电压，高速比较器会产生一组逻辑控制信号用以调整 H 桥的工作状态，实现 电流续流以吸收反冲电压。此吸收电路可完全集成至驱动 IC 内部，同时无需外置 功率齐纳二极管和大电容。该电路主要用于功率管内置的单相 BLDCM 驱动电路。 该反冲电压吸收电路已成功通过 UMC 0.6μm 18V 2P2M BCD 工艺流片验证。在散 热 BLDCM 上实测：未加反冲电压吸收电路时，反冲电压超过 4.9V，加反冲电压 吸收电路后反冲电压只有 1.5V。 ② 提出一种反冲电压抑制驱动拓扑结构（Electronics and Signal Processing， 2011.06）。新驱动拓扑引入了电源分离电路，当反冲电压出现时，该拓扑能自动控 制外置 H 桥工作以抑制反冲电压。新驱动拓扑无需功率齐纳二极管，大电容和高 速检测比较器。此外该驱动拓扑不会增加任何元器件。该电路主要用于功率管外 置的单相 BLDCM 驱动电路。该驱动拓扑已通过本论文设计的功率管外置驱动 IC 验证：实测发现采用传统的驱动拓扑，反冲电压超过 30V，采用新驱动拓扑反冲 电压只有 4.0V。 ③ 提出高精度零温度系数电流基准源。该电流基准源基于片上电阻，采用电 流模工作模式，折中考虑电阻的温度系数、面积以及电流基准源的变化率因素， 设计时选用 P+扩散电阻。该电流基准源已通过 UMC 0.6μm 18V 2P2M BCD 工艺流 I 摘要 片 验 证 。 实 验 结 果 表 明 电 源 电 压 3.3V ，温度 -40℃~+85℃ 时 最 大 温 度 系 数 为 74ppm/K；电源电压从 2.5V~5.5V，温度分别为-40℃、25℃和 85℃时，电流基准 源的线性调整率分别为：-40℃时 0.27%，25