耦合电致发光附件测试III-ⅤLED应用.PDFVIP

Application 耦合电致发光附件测试 III-ⅤLED 的应用 前言 早在 1907 年，英国工程师 Henry Joseph Round 在碳化硅晶体上施加一定的电压后，观察 到碳化硅发射出微弱的黄色光。这既是最早观测到的电致发光现象，同时也是成功制备的第一个发 [1-2] [2-3] [2] 光二极管(LED) 。20 世纪早期，Round 的工作被进一步研究 ，但LED 尚未达到实用效果 。 20 世纪 60 年代，第一个商品化的 LED 问世，可以在近红外及红光区域发光。20 世纪 90 年代末， 蓝、绿两色高效的 InGaN 基发光二极管得到突破，意味着真正迎来了 LED 时代。 现代 LED 是一种高效、明亮、可靠、应用最为广泛的光源。随着新器件的构建与掺杂方法的 深入研究，LED 技术仍在快速发展。电致发光(EL)光谱技术是用于表征新型 LED 并促进其发展的一 项重要技术。通过测试电致发光及时间分辨光谱可以研究发光器件的性能。根据发射光谱可以计算 得到 LED 的色度坐标和显色指数，以及半导体的带隙等基本性质。时间分辨的电致发光光谱可用 于探究器件对短电压脉冲的电发光响应，以研究器件中的载流子动力学，如有机半导体（OLED） 中的三重态形成。 大多数典型的 LED 由 III-V 族化合物半导体构成。III-V 半导体是指包含元素周期表中第 III 族 (B, Al, Ga, In)和第 V 族 (N, P, As, Sb)元素的合金材料。对于蓝色和绿色的 LED，通常为 In、Ga 和 N 元素。InGaN 基 LED 中的 p 型和 n 型区域由GaN 形成，其带隙较大，为 3.4 eV (360 nm)。 可以通过调节 Ga 与 N 比值使其成为 p 型或 n 型。InGaN 基 LED 的有源区由 In Ga N 形成，加 x 1-x 入 In 元素会降低半导体的带隙。通过改变 In 与 Ga 的摩尔比，可以调谐LED 的发射波长和发光颜 色。但随着 In 含量的增加，InGaN 发光二极管的效率也会随之降低。因此，通过增加 In 的含量使 其发射波长大于 550 nm 是没有实用意义的。光谱覆盖范围超过 550 nm 最为常用的 LED 为 (Al Ga ) In P。可通过增加 Al 和 Ga 的摩尔比，使其带隙增大, 发射波长蓝移。采用电致发光 x 1-x 0.5 0.5 技术能够测试 InGaN 和 AlGaInP LED 的发射波长，并确定 LED 的有源区带隙及组成。 本篇应用，通过使用耦合电致发光附件的 FS5 荧光光谱仪测试了四种 III-V 族化合物发光二极 管的发光特性并确定它们的带隙和色度坐标。 测试仪器与样品 仪器：FS5 光谱仪 （PMT-900 检测器）；电致发光附件。 样品：蓝色(OVL-5523)，绿色(OVL-5524)，橙色(OVL- 5528)，红色(OVL-5526) 发光二极管均 购于 Farnell 公司。 测试结果 图 1 为 4 种 III-ⅤLEDs 的电致发光光谱图。蓝、绿两色 InGaN 基 LED 发射峰分别位于 462 nm 及 516 nm。黄、红两色AlGaInP 基 LED 的发射峰分别位于 594 nm 及 630 nm。 图 1 . InGaN 和 AlGaInP 基 LED 的电致发光光谱及半宽峰 对于显示应用来说，通常是根据色度坐标而不是发射波长来对 LED 发光颜色进行分类的。FS5 的 Fluoracle®软件内置向导能够根据发射光谱图计算生成 CIE 1931 或 CIE1976 色度空间的色度 坐标。如图 2 所示是四个 LED 在 CIE 1931 色度空间中的色度坐标。 图 2 . CIE 1931 色度空间中四个 LED 的发射色度坐标（由图3 中的电致发光光谱计算得到） 利用从电致发光光谱获得的信息，通过将 LED