第3章数字大方电路1.pptVIP

1,2,3 CMOS器件的速度和功耗在很大程度上取决于器件及其负载的动态特性，即输出端在不同状态间转换时电路的行为。 速度 CMOS 电路的输出在低/高电压之间转换的速度，依赖于器件的内部结构及它要驱动的其他器件的特性，甚至受到与输出相连的连线或印制电路板上的线迹的影响，它取决于两个特性：转换时间和传播延迟。 转换时间：逻辑电路的输出从一种状态变为另一种状态所需的时间。 上升时间tr：输出从低态到高态的转换时间。 下降时间tf： 输出从高态到低态的转换时间。 3.6 CMOS电路的动态电气特性 上升时间通常比下降时间长，与晶体管的“导通”电阻和负载电容有关。 可用时间常数来进行估计 3.6 CMOS电路的动态电气特性（续） 传播延迟：指从输入信号变化到输出信号产生相应变化所需的时间。 最大上升或下降时间 3.6 CMOS电路的动态电气特性（续） 静态功耗—输出不变时的CMOS电路功率损耗（很小） 交流开关功耗 总动态功耗 PD=PT+PL 动态功耗—是主要部分 直流开关功耗 3.7 其他CMOS输入和输出结构 传输门 一对p沟道和n沟道晶体管连在一起形成一个逻辑控制开关。 EN=1时，A、B之间为低阻抗连接（Rab=2～5Ω） EN=0时，A与B断开 特点： 传输门被打开， A到B（或相反）的传播延迟非常短。 3.7 其