2010-2011学年度模拟电子技术基础复习.ppt

第三章 多级放大电路 * 半导体基础知识 1 三个器件 2 重点： 从使用的角度出发掌握半导体二极管， BJT，FET的外部特性和主要参数 3 公式 1.N型半导体：掺入五价杂质元素 多子为自由电子,少子为空穴。 P型半导体：掺入三价杂质元素 多子为空穴,少子为自由电子。 3.整个晶体（不论N型还是P型半导体）仍然呈电中性。 2.多子由掺杂形成的，少子由热激发形成的。 杂质半导体: PN结的单向导电性: PN结的正向电阻很小 ——加正向电压时导通， PN结的反向电阻很大 ——加反向电压时截止。 符号: 阳极 阴极 ＋ － 半导体二极管 其中 IS ——反向饱和电流 UT ——温度的电压当量 常温下(T=300K),UT=kT/q = 26mV PN结电流方程： 稳压二极管 ＋ － 稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 注意： 在稳压管电路中必须串联一个电阻---限流电阻R来限制电流（IZmin ≤ IZ ≤ Izmax），从而保证稳压管正常工作。 1. 三极管要放大，必须满足： 外部条件： 发射结正偏；集电结反偏。 2.三极管内有确定的电流关系： 3.三极管各极电流方向和电压极性: NPN管，UCUBUE ; PNP管，UCUBUE 。 双极型晶体管 ICEO 场效应管（FET）：利用输入电压控制输出电流的 半导体器件。 场效应管分类： (JFET) 结型 (MOSFET) 绝缘栅型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 结型场效应管 N沟道增强型绝缘栅场效应管 1）放大的概念和放大电路的主要性能指标 2）BJT共射基本放大电路 ?3）分析方法 图解法 等效分析法 ? ? ? 4）工作点稳定的共射放大电路 ? 5）CB CC CE 三种接法 6）派生电路，复合管 “CE-CB” “CC-CB” ? 7）FET放大电路 第二章基本放大电路 静态工作点(Q)： IBQ ICQ UBEQ UCEQ 晶体管共射h参数简化等效模型 gm称为跨导：输出回路电流与输入回路电压之比 场效应管的交流等效电路 g s d + – – + — 场效应管交流等效模型 3、差分放大电路:四种输入输出方法的静动态计算(重点) 共模放大倍数，差模放大倍数，输入电阻，输出电阻， 共模抑制比 1、多级放大电路的耦合方式 直接耦合 阻容耦合 变压器耦合 光电耦合 2、多级放大电路的动态分析 (重点) 4、互补输出电路的正确接法和输入输出关系 多级放大电路的动态分析 图3.2.1 多级放大电路方框图 1. 电压放大倍数： 2. 输入电阻为第一级的输入电阻： 3. 输出电阻为最后一级的输出电阻: Ri=Ri1 Ro=Ron 注意：对于第一级到第(n-1)级，每一级的放大倍数均应该是以后级输入电阻做为负载时的放大倍数。 长尾式差分放大电路 长尾式差分放大电路 差分放大电路（差动放大电路） 差动放大器对差模信号进行放大，对共模信号进行抑制。 1.差模放大倍数 2 .共模放大倍数 3. 共模抑制比 KCMR (1)差模电压放大倍数只与输出方式有关. (2)共模电压放大倍数只与输出方式有关：双出时：Ac=0 (3)差模输出电阻仅与输出方式有关： 双出时: R0 = 2 Rc 单出时: R0 = Rc (4)输入电阻均为： Ri=2 (rbe +Rb) (5)负载的处理：仅与输出方式有关 双出时：RL减半 单出时： RL不变 差动放大器动态参数计算总结： 双出时：与单放电路的Au相等，Ad=Au 单出时： Ad=Au /2 第四章 集成运算放大电路 4.1集成运算放大电路概述 4.2集成运放中的电流源电路 4.3集成运放电路简介 4.4集成运放的性能指标及低频等效电路 F007电路分析： IREF 双端输入、单端输出共集-共基放大电路 以复合管为放大管、恒流源作负载的共射放大电路 用UBE倍增电路消除交越失真的准互补输出级 第五章 放大电路的频率响应 1.频率响应概念，正确理解波特图，并能熟练绘图 2.单管放大电路的频率响应： 3.多级放大电路频率响应中截止频率的