P掺杂对二维SiC光电特性调制的机理.PDFVIP

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2018-12-19 发布于天津
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P掺杂对二维SiC光电特性调制的机理

激光与光电子学进展 , ( ) « » ５５０９１６０３２０１８ C２０１８中国激光杂志社 LaserOtoelectronicsProress ○ p g P掺杂对二维 SiC光电特性调制的机理 , , , , , １２∗ １２１２１２１２闫万珺 ,张春红 ,覃信茂 ,张忠政 ,周士芸１ , ; 安顺学院电子与信息工程学院贵州安顺５６１０００２ , 安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心贵州安顺５６１０００ , 、 . 摘要基于第一性原理对不同原子掺杂浓度的二维的几何结构电子结构和光学性质进行了研究结果　 P SiC : , , ; , 表明随着掺杂浓度的增加掺杂二维的晶格常数变小带隙减小价带主要由和态电子 P P SiC CＧ２ SiＧ３ PＧ３ p p p , . — , . 杂化构成导带主要由SiＧ３p态电子构成 P削弱了C Si键的共价性增加了离子性 P掺杂扩大了二维 SiC的 , , 光吸收范围吸收系数和折射率随掺杂浓度的增加而增大表明掺杂能有效提高二维对可见光和红外光的 P SiC 吸收. ; ; ; ; 关键词材料二维掺杂光电特性第一性原理　 SiC P 中图分类号文献标识码 : / 　O４７４　　　　A doi１０．３７８８LOP５５．０９１６０３ ModulationMechanismofPＧDoin onPhotoelectric p g ProertiesofTwoＧDimensio