高能电子辐照GaN外延层的性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

高能电子辐照 高能电子辐照 GaN 材料的性能研究 河北工业大学博士论文 河北工业大学博士论文 PAGE PAGE VI III III 高能电子辐照 GaN 外延层的性能研究 摘 要 氮化镓（GaN）材料因其宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等 性质在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN 材料一直 被认为是一种理想的抗辐照半导体材料，随着核技术和空间技术的发展，GaN 材料及其器 件被用于辐射很强的极端恶劣的条件下工作。研究 GaN 材料中辐照缺陷的性质，以及辐照 缺陷对 GaN 光学性能和电学性能的影响，研究辐照缺陷在退火过程中的扩散和湮灭，对 GaN 在辐照环境下的应用具有重要的理论意义和实用价值。 本文利用双晶 X 射线衍射仪（DCXRD）、正电子湮没谱（PAS）、扫描电子显微镜（SEM）、 X 射线光电子能谱（XPS）、光致发光（PL）谱，霍尔测试（HALL）等分析技术对高能电 子辐照 GaN 外延层的性能进行了研究，获得的主要结果如下： 1、利用湿法化学腐蚀工艺研究了电子辐照 GaN 外延层中的辐照缺陷，电子辐照 GaN 样品经熔融状态的混合 KOH 和 NaOH 碱溶液腐蚀后，用 SEM 观测到 α、β 和 γ 三种类型 的腐蚀坑，提出辐照缺陷对 GaN 性能的影响与位错相似。 2、研究了电子辐照对 GaN 外延层黄光带的影响，首次提出一理论模型解释了黄光带 强度随辐照剂量的变化关系。随辐照剂量的增加，在 GaN 外延层中引入的镓空位增加，镓 空位与黄光带的形成有关，因此黄光带强度增加。 3、研究了快速热退火对黄光带的影响，发现黄光带强度随退火温度呈非线性变化。 400℃退火样品的黄光带的热激活能为 16meV，与 O 有关；600℃退火样品的黄光带的热激 活能为 40meV，与 C 有关。结合辐照缺陷在退火过程中的扩散，提出在 200~800℃退火过 程中包含两个黄光带形成机理。 4、研究了电子辐照对 GaN 外延层电学参数的影响，首次提出一理论模型解释了电学 参数随辐照剂量的变化。随辐照剂量的增加，样品中引入的深能级缺陷浓度增加，深能级 缺陷对载流子的俘获和散射，使得载流子浓度和迁移率下降。 5、研究了快速热退火对 GaN 外延层电学参数的影响，发现载流子浓度和迁移率随退 火温度呈非线性变化。200~600℃退火温度范围内电学参数的变化与辐照引入的 VGa 深受主 缺陷的复合和断裂有关，600~800℃退火温度范围内电学参数的变化与辐照引入的 VN 浅施 主缺陷的变化有关。 关键词：GaN，电子辐照，辐照缺陷，快速热退火，黄光带，电学性能 INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF GaN LAYER IRRADIATED BY HIGH-ENERGY ELECTRON ABSTRACT Gallium nitride (GaN) exhibits some unique properties, such as a large direct band gap, strong interatomic bonds, and a high thermal conductivity, which make it an ideal material for optoelectronics, high-temperature/high-power devices and short wavelength devices. In some applications, such as nuclear technology and satellite communication, GaN-based components have to stay operable when subjected to high doses of ionizing radiation. It is therefore important to study the effect of irradiation on the electrical and optical properties of semiconductor material and to study the diffusion and annihilation of the irradiation defects in the rapid thermal annealing treatment. In this paper, GaN layer irradiated by high-energy electron was investigated by means of double crystal X-