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左主干远段病变PCI的策略 LCX较小，或其开口未被累及，于LM-LAD置入 支架（ Crossover技术） LCX粗大且开口未累及，LM-LAD置入支架后， 影响LCX开口，Kissing技术或provisional 支架 如果LCX粗大且病变累及开口，根据病变的特征采用双支架技术 简单处理(单支架技术，cross-over)占61% 双支架技术（Crush，Kissing stent）占39% 简单支架技术适合于 LCX开口正常，Medina分型1,1,0 或1,0，0 回旋支直径小，2.5mm LCX正常或远端有局限病变 双支架技术适合于 LCX开口病变，Medina 1,1,1或1,0,1或0,1,1 LCX直径≥2.5mm 左优势型左主干病变 LCX弥漫病变 目前对双支架技术的评价 Crush技术安全、相对简单易行，容易操作，难点在rewire和kissing，花费较高，在LM分叉病变的处理上最常用，长期效果可以接受 Kissing支架技术对位有时困难，发生再狭窄难处理 如何做左主干远端病变 6F、7F、8F超支撑指引导管 通常使用2根导丝 使用IVUS评估直径、钙化情况、斑块位置、病变的严重程度和分支受累的情况 如果回旋支易于放置导丝而且开口未累及或只是轻至中度狭窄，则采用crossover技术(如果风险较高则采用“ bang-