晶体二极管晶体极管场效应晶体管本章小结.ppt

第一章　半导体器件 第一节　晶体二极管 三、二极管的伏安特性 四、二极管的主要参数 五、二极管的应用 六、其他二极管 第二节　晶体三极管 二、三极管的工作原理 三、三极管的伏安特性 四、三极管的主要参数 第三节?场效应晶体管 二、MOS 管的伏安特性 三、MOS 管的主要参数 四、MOS 管和三极管比较 本章小结 　　2．输出特性 　　在 VGS 一定的条件下，漏极电流 ID 与漏源电压VDS 的关系。 　　又称变阻区， VDS 很小，若VGS不变，则 ID 基本上随 VDS 增加而线性上升，导电沟道基本不变。当 VDS 很小时， VGS 越大，沟道电阻越小，MOS 管可看成为受VDS 控制的线性电阻器。 　　（1）非饱和区 ? 　　（2）饱和区 Ⅱ 　　只要 VGS 不变， ID 基本不随 VDS 变化，趋于饱和或恒定，又称恒流区。且 ID 与 VGS 呈线性关系，又称线性放大区。 第三节　场效应晶体管 　　（3）击穿区 Ⅲ 　　当 VDS 增大到超过漏区与衬底间的PN结所能承受的极限时， ID 急剧上升，不再受 VGS 控制。 　　（4）截止区 　　① 增强型， VGS VGS(th) 导电沟道未形成。 ID = 0。 　　② 耗尽型， VGS VGS(off)导电沟道被夹断。 ID = 0。 第三节　场效应晶体管 第二节　晶体三极管 　　2．结构及符号 　　在一块半导体基片上制作两个极近的 PN 结，即构成三极管的管芯。两个 PN 结把整个半导体分成三部分，按排列顺序，有 NPN 型和 PNP 型两种结构。 第二节　晶体三极管 　　三极：发射极 e、基极 b、集电极 c。 　　三区：发射区、基区、集电区。 　　发射极箭头所指是发射结正偏导通时的电流方向。VT 是三极管的文字符号。 　　两结：发射结、集电结。 第二节　晶体三极管 　　三极管工作时，必须给它的发射结和集电结加偏置电压。用作放大信号时，必须使发射正偏、集电结反偏。 　　1．三极管的工作电压 第二节　晶体三极管 第二节　晶体三极管 　　VBB：发射结正偏电源。 　　VT：三极管。 　　 Rc ：集电极电阻。 　　 Rb：基极偏置电阻。 　　 VCC：集电结反偏电源。 第二节　晶体三极管 　　2．三极管电路的三种组态 　　（1）共发射极组态 　　以基极为输入端，集电极为输出端，发射极为输入回路与输出回路的公共端，如图所示。 第二节　晶体三极管 　　以发射极为输入端、集电极为输出端，基极为输入回路与输出回路的公共端。如图（b）所示。 　　（2）共基极组态 第二节　晶体三极管 　　以基极为输入端、发射极为输出端，集电极为输入回路与输出回路的公共端。如图（c）所示。 　　（3）共集电极组态 第二节　晶体三极管 　　3．三极管的电流分配和放大作用 　　（1）三极管的电流分配关系 　　调节 RP，通过三个电流表可分别观测基极电流、集电极电流和发射极电流的变化。 第二节　晶体三极管 　　表 1-4　三极管中各电流的实测数据 　　② 基极电流 IB 很小，集电极电流 IC 与发射极电流 IE 近似相等，即 　　电流分配关系 　　① 基极电流 IB 与集电极电流 IC 之和恒等于发射极电流 IE，即 第二节　晶体三极管 2.96 2.37 1.77 1.16 0.57 0.01 2.91 2.33 1.74 1.14 0.56 0.01 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0 　　③ IE = 0， IB = 0 时的两种特殊情况 　　（a）发射极开路（ IE = 0） 　　 IB 与 IC 相等。发射极开路时的集电极—基极反向饱和电流记作 ICBO ，如图（a）所示。 第二节　晶体三极管 　　（b）基极开路（IB = 0） 　　 ICEO ICBO ，它们都很小且随温度的升高而增大。ICEO 、ICBO 越小，三极管的温度稳定性越好。硅管的ICEO 、ICBO 的均比锗管小得多，因此温度稳定性比锗管好。 　　IC = IE。基极开路时的集电极—发射极电流称为穿透电流，记作 ICEO 。如图（b）所示。 第二节　晶体三极管 　　（2）三极管的电流放大作用 　　① 小电流控制大电流 　　较小的基极电流 IB 控制着较大的集电极电流 IC 。具有直流电流放大作用。 　　② 小电流变化控制大电流变化 　　基极电流 IB 的较小变化 ?IB 控制着集电极电流 IC 的较大变化?IC。具有交流放大作用。 　　用共发射极直流电流放大系数 来表征三极管的直流电流放大能力。 第二节　晶体三极管 　　用共发射极交流电流放大系数 ? 来表征三极管的交流电流放大能力 　　若考虑穿透电流 ICBO ，则 　　工程中，一般不区分 ? 和 ，统一用 ? 表示