具有感觉记忆的忆阻器模型.PDFVIP

First Read 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 68, No. 1 (2019) 018501 具有感觉记忆的忆阻器模型 邵楠 张盛兵 邵舒渊 1) (西北工业大学计算机学院, 西安 710072) 2) (西北工业大学电子信息学院, 西安 710072) ( 2018 年8 月22 日收到; 2018 年11 月15 日收到修改稿) 人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段, 类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的 实验研究中有过多次报道. 这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况, 已报道的这类忆阻器 的数学模型仅能够描述无感觉记忆的忆阻器. 本文在已有模型的基础上, 根据有感觉记忆的忆阻器的研究文 献中所报道的实验现象, 设计了具有感觉记忆的忆阻器模型. 对所设计模型的仿真分析验证了该模型对于存 在感觉记忆的这类忆阻器特性的描述能力: 对忆阻器施加连续脉冲激励, 在初始若干脉冲作用时忆阻器无明 显的记忆形成, 此时忆阻器处于感觉记忆阶段, 后续的脉冲作用下忆阻器将逐渐形成短期、长期记忆, 并且所 施加脉冲的幅值越大、宽度越大、间隔越小, 则感觉记忆阶段所经历的脉冲数量越少. 模型状态变量的物理意 义可用连通两电极的导电通道在外加电压作用下的形成与消失来给出解释. 关键词: 忆阻器, 感觉记忆, 短期记忆, 长期记忆 PACS: 85.35.–p, 73.43.Cd, 87.19.lv DOI: 10.7498/aps.68 和遗忘: 阻值减小则记忆逐渐形成, 阻值增大则记 1 引 言 忆逐渐遗忘. 在外加电压作用下, 这类忆阻器会形 成类似人类记忆的短期记忆和长期记忆, 并且施加 1 在Atkinson-Shiffrin 记忆模型 中, 人类记忆 更多的电压激励可使得更多的短期记忆逐渐变为 的形成过程包括感觉记忆(sensory memory, SM)、 长期记忆. 短期记忆(short-term memory, STM) 和长期记忆 (long-term memory, LTM) 三个阶段: 人们对于所 接收到的来自周围环境的各种信号会产生感觉记 忆, 当意识关注于某个信号时便会对于这个信号形 成短期记忆, 若这个信号不再出现, 则相应的短期 记忆会较快被遗忘, 若这个信号仍然反复多次出现 图1 Atkinson-Shiffrin 记忆模型 Fig. 1. Atkinson–Shiffrin memory model. 并且被关注, 那么相应的短期记忆将逐渐变为长 期记忆, 长期记忆能够持续存在较长时间. 图1 给 文献所报道的这些实验现象中, 不同材料的忆 出了Atkinson-Shiffrin 记忆模型所描述的记忆形成 阻器从高阻状态开始, 在连续脉冲激励初始阶段的 过程. 电阻变化过程并不完全相同: 有的忆阻器216 在 在多篇关于