基于InGaAs MOSFET的E类功率放大器的研究Based on the research of InGaAs MOSFET class E power mplifier.docx

摘 摘 要 万方数据 万方数据 摘 要 传统硅基 CMOS 集成技术遵循摩尔定律通过不断缩小特征尺寸来提高器件的工 作速度、增加集成度以及降低成本，然而在进入纳米时代后开始面临着来自技术层面 和物理层面的双重挑战。InGaAs MOSFET 因其优越的电子迁移率，成为了下一代 CMOS 技术的研究热点。本论文主要基于中科院微电子研究所器件及其制造工艺，以 InGaAs MOSFET 功率器件和射频 E 类功率放大器的设计为中心，分别开展了以下研 究工作： 1. 基于中科院微电子研究所工艺条件，完成了 InGaAs MOSFET 功率器件的设 计及制作，同时完成了 GaAs 背孔工艺的研究，实现了完整的 InGaAs MOSFET MMIC 制作工艺流程。 2. 研究并完成了与 InGaAs MOSFET 工艺相兼容的 50Ω/□的 TaN 薄膜电阻、Si3N4 MIM 电容和螺旋电感无源器件制备。基于 MIM 电容和螺旋电感的测试和 MOM 仿真 数据，完成了电容和电感的建模工作。同时本文还研究了 Al2O3 介质的厚度与 MIM 电容的直流特性和射频特性之间的相互关系，为 Al2O3 介质 MIM 电容应用于 InGaAs MOSFET MMIC 电路做了一定的基础。 3. 完成了 InGaAs MOSFET 从小信号模型到大信号模型的建模流程。根据 InGaAs MOSFET 功率器件结构，建立小信号模型的等效拓扑结构，提出小信号模型 参数的直接提取方法。并利用 IC-CAP 建模软件和 ADS 仿真软件进行 InGaAs MOSFET 的 EEHEMT 大信号模型提参建模以及后期拟合工作。 4. 利用 InGaAs MOSFET 功率器件大信号模型，完成了两级射频 E 类功率放大 器的仿真设计。该功率放大器在 4V 漏极工作电压，-1.2V 栅极工作电压下，工作频 率为 2.45 GHz~2.55 GHz，P1dB30dBm，Gain27dB，PAE65%。 关键词：InGaAs MOSFET，工艺，模型，EEHEMT，E 类功率放大器 I Abstract Abstract Abstract Traditional silicon CMOS integrated technology follows the Moore Law to enhance working speed, increase integration level and reduce cost by continually reducing the feature size of device. However, it encounters technical and physical challenges with the nanometer era’s advent. InGaAs channel material has already become research hotspot of next CMOS generation because of its high electron mobility. Based on the the Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences devices and process, this thesis focus on InGaAs MOSFET power device and radio frequency Class E power amplifier design, and the main work is as follows: Based on the process condition of the Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, InGaAs MOSFET power device and backvia process are both completed, the whole completed InGaAs MOSFET MMIC process is achieved. The 50 Ω/□ TaN film resistor, Si3N4 dielectric MIM capacitors and spiral inductors are studied and finished, which are compatible with the InGaAs MOSFET technological process. Based on the measured and MOM simulated datas of