cuinsexs2x和cu2xinxsn1xse3合金半导体纳米材料制备及表征.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 导体纳米材料制备及表征》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的 导体纳米材料制备及表征》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的 成果。除文中已经注明引用的内容外．本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或 撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方 式标明，本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 作者签名：塑墨垂—!!止年—jL月—王一日 长春理工大学学位论文版权使用授权书 本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使 用规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文 全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和 电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或 部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇 编学位论文。 作者签名 』塑L年—5L月—王_Et 导师签名 ——年——月——口 摘要近年来，铜锢硒和铜钢硫两种半导体纳米材料，由于其在太阳能电池方面的应用， 摘要 近年来，铜锢硒和铜钢硫两种半导体纳米材料，由于其在太阳能电池方面的应用， 受到了广泛的关注。本文用价格低廉、更易得到的s元素取代CuInSe2中部分se元素， 既能改善CIS电池的光电性能，也能降低电池组件的成本，该合金CuInSe。S2．，将会成 为一种非常有前途的太阳能电池材料。 本文用热注射法制备了CulnSeS2，。和c“2．山㈣Sn。Se3。两种合金，找到了最佳合成 工艺，iili)N了其合金本质，做到了样品形貌和大小的可控，实现了带隙随着台金组成 的变化在一定范围内可调。提出了用常温滴片制各CISS(CuInSe。S2+)薄膜的新方法， 使用稀有气体保护退火法处理CISS薄膜，研究了薄膜基本性质，证明了该方法的可行 性t探索丁一种制各CISS薄膜的新方法。文中所用方法操作更加简单、毒性更小、成 本更加低廉，更有利于工业化生产。 关键词：铜铟硒硫：半导体纳米材料：合金：热注射法 ABSTRACTTwo ABSTRACT Two nan们nHer materials about copper indium selenium and copper indium sulfide semiconductor in recent years，have caused wide public conaeln because ofits applications in solar cells In this dissertation，a substance S with low price and accessibility will be replacedthe Seinthepart ofCuInSe：Itisnot onlyimprovingthe optical properties ofCIS cells，but also reducing the cost of battery components，the alloy CulnSeSz will be the solar cells very promising material This thesis gets two kinds ofalloys CulnSeS2．x and c“2^Inxs“1．xSe3，x by hot injection method，and the best synthesis process to pmvc the nature ofits alloy has been found So people will control its sample morphology and size，and can make the band gap adjustable arbitrarily with changes of the alloys The method used in this dissertation is easier,less toxic，cheaper and more suitable for industrial production Here it gives us a new way to prepare the CISS(CulnSeS2．、)films with the room temperature drops For the firstly, people use the rare gas annealing to deal with C1SS film The basic properties ofthe