基于SOI压力和磁场多功能传感器集成化研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

分类号 一 U D C 密级 ．公 五 Z翥庐夕擎 硕士研究生学位论文 基于SOI压力和磁场多功能传感器 集成化研究 申请人： 吴 桐 学 号： 2121301 培养单位： 电子工程学院 学科专业： 微电子学与固体电子学 研究方向： 传感器MEMS 指导教师： 赵晓锋教授 完成日期： 2015年5月10日 万方数据  J Ilrllll Illlllllllllllllllllllll IIl／llllPIIIll 中文摘要 Y2770090 iiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiiii宣宣iiiiii宣iiiii萱-·_I一—— 中文摘要 本文根据压阻效应和磁敏二极管工作原理，以SOl片为衬底(器件层为n型 100晶向高阻硅)，采用MEMS技术构建压力和磁场多功能传感器集成化结构模 型，压敏结构由C型硅杯和方形硅膜上四个P型压敏电阻构成的惠斯通电桥组成， 磁敏结构为方形硅膜外的长“基区”硅磁敏二极管。理论分析给出，外加压力P 引起方形硅膜发生弹性形变，惠斯通电桥输出电压发生变化，完成外加压力尸的 测量；在外加磁场B作用下，长“基区”硅磁敏二极管注入载流子发生偏转，引 起磁敏二极管电流发生变化，完成外加磁场艿的测量。基于传感器集成化结构， 本文分别利用ANSYS软件和ATLAS器件仿真软件建立压敏结构和磁敏结构仿真 模型，进一步分析多功能传感器压敏特性和磁敏特性。在此基础上，分析给出硅 膜形状、硅膜厚度等因素对多功能传感器压敏特性影响，论述磁敏二极管基区长 度对磁敏特性影响，并采用L-Edit软件实现芯片版图优化设计。 本文采用MEMS技术在SOI片进行压力和磁场多功能传感器芯片集成化制 作，并利用内引线压焊技术实现传感器芯片封装。在室温条件下，采用美国Mensor CPC6000全自动高精度压力变送器测试系统、CH．Hall磁场发生系统和奥贝斯 GDJS．100LG．G高低温湿热试验箱对多功能传感器进行特性研究，实验结果给出： 外加磁场B=O T时，压敏结构灵敏度为1．376 mV／kPa；外加磁场B≠O T，压敏结 构输出一输入特性曲线基本不变，说明外加磁场对多功能传感器压敏特性影响微 弱：当外加压力P=O kPa时，硅磁敏二极管^y特性曲??随外加磁场发生变化，实 现外加磁场测量：当外加压力尸≠O kPa时，硅磁敏二极管／-V特性基本不变，说 明外加压力对多功能传感器磁敏特性影响微弱。研究结果表明，该集成化芯片可 完成外加压力和外加磁场测量，实现传感器多功能化和集成化。 关键词：多功能传感器；压力传感器；磁敏二极管；MEMS技术；SOl片 万方数据  黑龙江大学硕士学位论文 Abstract In this paper,according to piezoresistive effect and operating principle of magnetic sensitive diode，the structure model of pressure and magnetic field multifunctional sensor was built by MEMS technology on SOl substrates(n-type Si1 00crystal orientation with hiigh resistivity as device layeO．The pressure sensitive structure was constructed by C-type Si cup and the Wheatstone bridge．The Wheatstone bridge was constituted by four diffused resistances on the square silicon membrane．The magnetic sensitive structure was Si magnetic sensitive diodes with long base region outside the square silicon membrane．Theoretical analysis gives that the applied pressure P caused elastic deformation of square silicon membrane and the output voltage of Wheatstone bridge changed．The measurement of applied pressure P was realized．Under the effect of applied